可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1,。它有三個PN結(jié)（J1、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號圖結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié)，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管,。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),，必須是過零點才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅。虹口區(qū)制造可控硅現(xiàn)價

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,，這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 對負載小，或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作,。 但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻,，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。普陀區(qū)挑選可控硅設(shè)計大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,。

可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅?？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓,。(3)可控硅導(dǎo)通后,，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū),。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。按一機部IBI144一75的規(guī)定,，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。靜安區(qū)挑選可控硅銷售廠

它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,。虹口區(qū)制造可控硅現(xiàn)價

為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，電阻取100R，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉,。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。虹口區(qū)制造可控硅現(xiàn)價

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