表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作,。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求,。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導(dǎo)通后,。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài),。瞬時過載時,，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),，在漏源電流一定的情況下,，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小,，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力,。但是， VGE并非越高越好,，一般不允許超過20 V,，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高,，則電流幅值越高,，IGBT損壞的可能性就越大。通常,，綜合考慮取+15 V為宜,。BJT驅(qū)動電路：使用雙極型晶體管（BJT）來驅(qū)動負(fù)載，適合低頻應(yīng)用,。浦東新區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路哪家好

優(yōu)良的驅(qū)動電路對變換器性能的影響驅(qū)動電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān),、導(dǎo)通損耗)3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題，驅(qū)動電路副邊與主電路有耦合關(guān)系,，而驅(qū)動原邊是與控制電路連在一起,， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路,， 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣,，實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極） 同—驅(qū)動電路無需隔離,；無需隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極）不同—驅(qū)動電路應(yīng)隔離,。浦東新區(qū)制造驅(qū)動電路售價它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計算機(jī),、通信設(shè)備,、電視、汽車,、機(jī)器人等領(lǐng)域,。

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益,，VC為RC充放電電路的輸入電壓,，τ為RC的時間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角,。則在**小導(dǎo)通角對應(yīng)的輸出為零,，即電路輸出的**大值對應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)式如式(3)所示。在斬波角為θ時,，電路對應(yīng)的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值,，Rin為等效輸入阻抗,。假設(shè)電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO,，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示,。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。

可控硅前沿調(diào)光器若直接用于控制普通的LED驅(qū)動器,，LED燈會產(chǎn)生閃爍,，更不能實(shí)現(xiàn)寬范圍的調(diào)光控制。原因歸結(jié)如下：(1)可控硅的維持電流問題,。目前市面上的可控硅調(diào)光器功率等級不同,，維持電流一般是7～75mA(驅(qū)動電流則是7～100mA)，導(dǎo)通后流過可控硅的電流必須要大于這個值才能繼續(xù)導(dǎo)通,，否則會自行關(guān)斷,。(2)阻抗匹配問題。當(dāng)可控硅導(dǎo)通后,，可控硅和驅(qū)動電路的阻抗都發(fā)生變化,，且驅(qū)動電路由于有差模濾波電容的存在，呈容性阻抗,，與可控硅調(diào)光器存在阻抗匹配的問題,，因此在設(shè)計電路時一般需要使用較小的差模濾波電容。MOSFET驅(qū)動電路：使用MOSFET（場效應(yīng)晶體管）作為開關(guān)元件,，適用于高效能的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動,。

?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域,。圖1圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極,。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。效率：選擇合適的元件以提高電路的效率,，減少功耗,。長寧區(qū)推廣驅(qū)動電路服務(wù)熱線

非隔離驅(qū)動電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻,、二極管,、三極管或非隔離型驅(qū)動芯片。浦東新區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路哪家好

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,，然后再計算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies,，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）浦東新區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路哪家好

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