通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高,， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會(huì)存在寄生電容,。 對(duì)負(fù)載小,，或電流持續(xù)時(shí)間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻,，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。使用時(shí),，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。黃浦區(qū)本地可控硅現(xiàn)價(jià)

畫出它的波形圖,，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來(lái)得早,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。普陀區(qū)好的可控硅專賣店其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通,。

安裝過(guò)程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ,，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ，EUPEC,，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱TRIAC,。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié),，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅圖片

可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。黃浦區(qū)本地可控硅現(xiàn)價(jià)

盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V),，MAC218-10(8A/800V)等,。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1,、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1,、T2表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí),，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極。反之,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā｜S浦區(qū)本地可控硅現(xiàn)價(jià)

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景,、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治,、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo),，有組織有體系的公司,，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖,，在上海市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源,，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),，也希望未來(lái)公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái),，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展,、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力,，協(xié)同奮取,，以品質(zhì),、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上,！