四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B、BTB16-600B,、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號***一個字母)帶“W”的,，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”,、“CW”,、“SW”、“TW”,；**型號如:BTB12-600BW,、BTA26-700CW、BTA08-600SW等,。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA,，C=15mA,，F(xiàn)=25mA，G=50mA,，R=200uA或5mA,，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。普通晶閘管的用途就是可控整流,。松江區(qū)特點可控硅量大從優(yōu)

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1,。它有三個PN結(jié)（J1,、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號圖結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié),，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。黃浦區(qū)質(zhì)量可控硅銷售廠可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,。

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點,。

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號,。它屬于NPNP四層器件,，三個電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1,、T2。表示,，不再劃分成陽極或陰極,。其特點是，當(dāng)G極和T2極相對于T1,，的電壓均為正時,，T2是陽極，T1是陰極。反之,，當(dāng)G極和T2極相對于T1的電壓均為負時,，T1變成陽極，T2為陰極,。雙向晶閘管的伏安特性,，由于正、反向特性曲線具有對稱性,，所以它可在任何一個方向?qū)?。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。普陀區(qū)質(zhì)量可控硅現(xiàn)價

可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,；松江區(qū)特點可控硅量大從優(yōu)

IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。松江區(qū)特點可控硅量大從優(yōu)

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