安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn),；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅,。金山區(qū)制造可控硅圖片

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。虹口區(qū)好的可控硅售價普通晶閘管的用途就是可控整流。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個PN結(jié)（J1,、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號圖結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié),，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管。

當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1]?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。普陀區(qū)推廣可控硅哪家好

大,；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。金山區(qū)制造可控硅圖片

主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX ,，SANREX，SANKEN ,，SEMIKRON ,，EUPEC，IR,，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率金山區(qū)制造可控硅圖片

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