測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅可控硅和小功率可控硅三種。長(zhǎng)寧區(qū)推廣可控硅專賣店

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓,。(3)可控硅導(dǎo)通后,，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū),。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。寶山區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC,，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA,，JX ，SANREX,，SANKEN ,，SEMIKRON ，EUPEC,，IR,，JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會(huì)存在寄生電容,。 對(duì)負(fù)載小，或電流持續(xù)時(shí)間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅,， 可在自由空間工作,。 但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上,，為了減小熱阻,，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。

IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱可控硅T,。又由于可控硅**初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。大,；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。嘉定區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅量大從優(yōu)

可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。長(zhǎng)寧區(qū)推廣可控硅專賣店

晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),。它屬于NPNP四層器件,，三個(gè)電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1,、T2。表示,，不再劃分成陽極或陰極,。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí),，T2是陽極，T1是陰極,。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽極,，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性,，由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。長(zhǎng)寧區(qū)推廣可控硅專賣店

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