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秋季舒適室內(nèi)感,,五恒系統(tǒng)如何做到?
大眾對(duì)五恒系統(tǒng)的常見(jiàn)問(wèn)題解答,?
五恒空調(diào)系統(tǒng)基本概要
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在性能上,,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,,允許通過(guò)的平均電流相降低,,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用,??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,,無(wú)火花,、無(wú)噪音;效率高,,成本低等等,。可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,;容易受干擾而誤導(dǎo)通,。大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。松江區(qū)質(zhì)量可控硅服務(wù)熱線
可控硅從外形上分類(lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形,??煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見(jiàn)圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)(J1、J2,、J3),,從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,從N2層引出陰級(jí)K,,從P2層引出控制極G,,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件??煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖結(jié)構(gòu)原件可控硅類(lèi)型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,,其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱(chēng)作雙向晶閘管,。閔行區(qū)本地可控硅專(zhuān)賣(mài)店大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。
當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),,BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,,經(jīng)放大,BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,,對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),觸發(fā)信號(hào)加入控制極,,可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。
耐壓級(jí)別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時(shí),,額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允許的操作過(guò)電壓裕量,。 [1]·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,,因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小,,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí), 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。如果不加觸發(fā)信號(hào),,而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),可控硅也會(huì)導(dǎo)通,,但已屬于非正常工作情況了,。
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,,等等??煽毓璧闹饕獏?shù)有:1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),,可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,;容易受干擾而誤導(dǎo)通。閔行區(qū)本地可控硅專(zhuān)賣(mài)店
按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。松江區(qū)質(zhì)量可控硅服務(wù)熱線
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,,允許通過(guò)的平均電流相降低,,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用,??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,;反應(yīng)極快,,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷,;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,,無(wú)火花、無(wú)噪音,;效率高,,成本低等等??煽毓璧娜觞c(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,;容易受干擾而誤導(dǎo)通。松江區(qū)質(zhì)量可控硅服務(wù)熱線
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