根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過(guò)增益電路后可得電流參考為：式中k為增益,，VC為RC充放電電路的輸入電壓,，τ為RC的時(shí)間系數(shù),，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零,，即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)式如式(3)所示,。在斬波角為θ時(shí)，電路對(duì)應(yīng)的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值,，Rin為等效輸入阻抗,。假設(shè)電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO,，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示,。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示,。保護(hù)措施：設(shè)計(jì)過(guò)流,、過(guò)壓、過(guò)熱等保護(hù)電路,，以確保系統(tǒng)的安全性和可靠性,。虹口區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開(kāi)通能量E，然后再計(jì)算出QG,。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣,，一般情況下我們可以簡(jiǎn)單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門(mén)極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies,，門(mén)極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）松江區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì),。

引言近年來(lái)，高亮度LED照明以高光效,、長(zhǎng)壽命,、高可靠性和無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統(tǒng)光源,。在一些應(yīng)用中,，希望在某些情況下可調(diào)節(jié)燈光的亮度，以便進(jìn)一步節(jié)能和提供舒適的照明,。常見(jiàn)的調(diào)光有雙向可控硅調(diào)光,、后沿調(diào)光、ON/OFF調(diào)光,、遙控調(diào)光等,。可控硅調(diào)光器在傳統(tǒng)的白熾燈等調(diào)光照明應(yīng)用已久,，且不用改變接線,，裝置成本較低，各品牌可控硅調(diào)光器的性能和規(guī)格相差不大,，但是其直接應(yīng)用在LED驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合還存在著一系列問(wèn)題,。

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓,。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作,，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗,。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài),。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V),，使IGBT在柵極出現(xiàn)開(kāi)關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止,。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿,。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合,。要求有足夠的輸入,、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離,，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離,。根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求，還有推挽驅(qū)動(dòng),、隔離驅(qū)動(dòng),、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)等多種設(shè)計(jì)方案。

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率,；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷,，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè),。例如，常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,，負(fù)電壓-9V,，則U=24V，假設(shè) F=10KHz,，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián),。三,、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,，具體的措施有：它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備,、電視、汽車,、機(jī)器人等領(lǐng)域,。虹口區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

BJT驅(qū)動(dòng)電路：使用雙極型晶體管（BJT）來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載，適合低頻應(yīng)用,。虹口區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V )而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,，在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 值大很多,。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),，**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷),，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]虹口區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn),，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己,，不斷創(chuàng)新,，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià),，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng),、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下,，全力拼搏將共同祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái),，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài),，更認(rèn)真的態(tài)度,，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏,，去努力,，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！