Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開通能量E,，然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣,，一般情況下我們可以簡(jiǎn)單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,，通常需要控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向。徐匯區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

推挽驅(qū)動(dòng)是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL,、OCL等）,。是兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通,，所以導(dǎo)通損耗小效率高,。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流,。如果輸出級(jí)的有兩個(gè)三極管,，始終處于一個(gè)導(dǎo)通、一個(gè)截止的狀態(tài),，也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連,，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時(shí),，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入低電平時(shí),，輸出端的電流將是下級(jí)門灌入T4,；當(dāng)輸出高電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入高電平時(shí),，輸出端的電流將是下級(jí)門從本級(jí)電源經(jīng) T3,、D1 拉出。長(zhǎng)寧區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī),、通信設(shè)備、電視,、汽車,、機(jī)器人等領(lǐng)域。

3.關(guān)斷瞬時(shí)：足夠,、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子,，減小 ；反偏截止電壓,，使ic迅速下降,，減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定,，功率管飽和導(dǎo)通,。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 電路簡(jiǎn)單；普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn)：輕載時(shí)深度飽和,，關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng),。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開通：1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高,，一般>10V,；（減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的上升沿,； （加速開通）3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小,。 （加速開通）關(guān)斷：1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流，快的下降沿,； （加速關(guān)斷）2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小,。 （加速關(guān)斷）3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 （防止誤導(dǎo)通）

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來實(shí)現(xiàn)這一功能,。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖,。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測(cè)R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí),，維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷,，維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流,。調(diào)光控制電路包括比較器,、RC充放電電路和增益電路。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器,，其**小導(dǎo)通角約為30°,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),，加快關(guān)斷速度,，減小關(guān)斷損耗。

驅(qū)動(dòng)電路(Drive Circuit),，位于主電路和控制電路之間,，用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路（即放大控制電路的信號(hào)使其能夠驅(qū)動(dòng)功率晶體管），稱為驅(qū)動(dòng)電路,。驅(qū)動(dòng)電路的作用：將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管—開關(guān)功率放大作用,。基本任務(wù)驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù),，就是將信息電子電路傳來的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求,，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號(hào),。對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào),，對(duì)全控型器件則既要提供開通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào),，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷,。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng),、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等,。閔行區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路服務(wù)熱線

高邊驅(qū)動(dòng)：則用于將功率開關(guān)器件連接在電源正極一側(cè)。徐匯區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）,。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中,，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測(cè)量條件下,，所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。徐匯區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

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