1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪健⑵桨迨胶推降资饺N,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。長寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流,，具有無火花、動(dòng)作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個(gè)電極。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同,，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號(hào),，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格,、型號(hào),、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下,，面對(duì)標(biāo)有字符的一面),。市場上最常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。黃浦區(qū)制造可控硅貨源充足可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高,，成本低等等,。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

安裝過程中,，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘,，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制,，也是這種安裝方法的缺點(diǎn)；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。長寧區(qū)推廣可控硅現(xiàn)價(jià)

塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。長寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。長寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

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