MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,，可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET,。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗,。針對(duì)兩個(gè)與電源無(wú)關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,，此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行?！穹植际诫娫醇軜?gòu)●汽車電源●高密度●電信系統(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應(yīng)貫通保護(hù)功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝直接接地驅(qū)動(dòng)：功率器件的接地端電位恒定,，常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。虹口區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）,。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值,，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中,，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2),。黃浦區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)電機(jī)控制：驅(qū)動(dòng)電路可以用來(lái)控制各種類型的電機(jī),，例如步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī),、交流電機(jī)等,。

優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)變換器性能的影響驅(qū)動(dòng)電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動(dòng)電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題,，驅(qū)動(dòng)電路副邊與主電路有耦合關(guān)系,，而驅(qū)動(dòng)原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路,，控制電路是ELV電路,， 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣,，實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動(dòng)電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地（e極） 同—驅(qū)動(dòng)電路無(wú)需隔離,；無(wú)需隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地（e極）不同—驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)隔離,。

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子）,，對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路,。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要,。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考,。電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，通常需要控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向,。

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能,。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來(lái)搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測(cè)R1端電壓(即輸入電流)來(lái)控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流,。當(dāng)輸入電流較小時(shí),，維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷,，維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流,。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路,。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器,，其**小導(dǎo)通角約為30°。驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用,，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能,。上海通用驅(qū)動(dòng)電路圖片

半橋驅(qū)動(dòng)和全橋驅(qū)動(dòng)：這兩種驅(qū)動(dòng)方式多用于需要更高功率轉(zhuǎn)換效率的場(chǎng)合，如電機(jī)驅(qū)動(dòng),、電源轉(zhuǎn)換等,。虹口區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,，那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2虹口區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)

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