1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí),，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來(lái)濾掉高頻噪聲,。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓,。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。普陀區(qū)推廣可控硅售價(jià)

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率,，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通。上海優(yōu)勢(shì)可控硅服務(wù)熱線可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12,、BCR8KM,、BCR08AM等等。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來(lái)命名雙向可控硅,。

盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、BCM3AM(3A/600V),、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等,。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝,。雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1,、T2,、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2表示,，不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí),，T2是陽(yáng)極，T1是陰極,。反之,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極,。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

安裝過(guò)程中，螺絲刀決不能對(duì)器件塑料體施加任何力量,；和接頭片接觸的散熱器表面應(yīng)處理,，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應(yīng)在0.55nm 和0.8nm 之間,；應(yīng)避免使用自攻絲螺釘，因?yàn)閿D壓可能導(dǎo)致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩?zé)o法控制，也是這種安裝方法的缺點(diǎn),；器件應(yīng)首先機(jī)械固定,，然后焊接引線。這可減少引線的不適當(dāng)應(yīng)力,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不反復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。閔行區(qū)質(zhì)量可控硅哪家好

額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。普陀區(qū)推廣可控硅售價(jià)

畫出它的波形圖,，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。普陀區(qū)推廣可控硅售價(jià)

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