1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。上海國產(chǎn)可控硅圖片

當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。金山區(qū)挑選可控硅生產(chǎn)企業(yè)“一觸即發(fā)”,。但是,，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通。

晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構(gòu)與符號為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）,。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極,，陰極K接電源的負(fù)極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型,，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說,，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關(guān)S,，小燈泡不亮,，說明晶閘管沒有導(dǎo)通；再按一下按鈕開關(guān)SB,，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓,，小燈泡亮了，說明晶閘管導(dǎo)通了,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?

大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個PN結(jié),，對外有三個電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,?？煽毓璧娜觞c：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,，控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的,，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。 [3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。上海挑選可控硅生產(chǎn)企業(yè)

控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。上海國產(chǎn)可控硅圖片

可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。上海國產(chǎn)可控硅圖片

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