可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。大家知道,，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a）,，相當(dāng)于一個(gè)二極管,，G為正極、K為負(fù)極,，所以，按照測試二極管的方法,，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測它的正、反向電阻,，電阻小時(shí),，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ巍⑵桨逍魏推降仔?。浦東新區(qū)特點(diǎn)可控硅現(xiàn)價(jià)

1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí),，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲,。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí),，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí),，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。浦東新區(qū)特點(diǎn)可控硅現(xiàn)價(jià)控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高， 則 IH 越小,。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象,。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 對負(fù)載小,，或電流持續(xù)時(shí)間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅， 可在自由空間工作,。 但大部分情況下,，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻,，可控硅與散熱器間要涂上導(dǎo)熱硅脂,。

可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。

式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后,，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅,，就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫一個(gè)**簡單的單相半波可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。金山區(qū)好的可控硅銷售廠

雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC,。浦東新區(qū)特點(diǎn)可控硅現(xiàn)價(jià)

耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。 選用時(shí),，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,，作為允許的操作過電壓裕量。 [1]·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí),， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。浦東新區(qū)特點(diǎn)可控硅現(xiàn)價(jià)

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