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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-22

(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,??煽毓栝_關(guān)(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,,金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,?!耙挥|即發(fā)”。但是,,如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,,晶閘管就不能導(dǎo)通。松江區(qū)好的可控硅圖片

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**型號(hào)如:PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E,、BT136-600E、BT138-600E,、BT139-600E,、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,;Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司,,則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),,如:三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B、BTA16-600B,、BTA41-600B等等,;松江區(qū)優(yōu)勢(shì)可控硅哪家好可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,是一種大功率電器元件,,也稱晶閘管,。

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額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),,1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,,如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,,如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述,,小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,,有三個(gè)電極,用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由

耐壓級(jí)別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時(shí),,額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,,作為允許的操作過(guò)電壓裕量。 [1]·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,,因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值,。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。 同時(shí),, 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電壓 V R R M 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。

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晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào),。它屬于NPNP四層器件,,三個(gè)電極分別是T1、T2,、G,。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,,用T1,、T2。表示,,不再劃分成陽(yáng)極或陰極,。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,,的電壓均為正時(shí),,T2是陽(yáng)極,T1是陰極,。反之,,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),T1變成陽(yáng)極,,T2為陰極,。雙向晶閘管的伏安特性,由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性,,所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā7聪蛑貜?fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓,。寶山區(qū)推廣可控硅現(xiàn)價(jià)

大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。松江區(qū)好的可控硅圖片

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程:晶閘管是四層三端器件,它有J1,、J2,、J3三個(gè)PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分,,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),,為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),,就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,,晶體管飽和導(dǎo)通,。松江區(qū)好的可控硅圖片

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