可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過(guò)大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè),。大家知道,，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a）,，相當(dāng)于一個(gè)二極管,，G為正極,、K為負(fù)極,，所以,，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,，測(cè)它的正,、反向電阻，電阻小時(shí),，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB,，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。長(zhǎng)寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。閔行區(qū)制造可控硅設(shè)計(jì)塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由

盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V),，MAC218-10(8A/800V)等,。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,，三個(gè)電極分別是T1,、T2、G,。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1,、T2表示,，不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極,。反之,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極,。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。

畫出它的波形圖,，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流?！耙挥|即發(fā)”,。但是，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通,。長(zhǎng)寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通,。長(zhǎng)寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

為了克服上述問(wèn)題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，電阻取100R,，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。長(zhǎng)寧區(qū)通用可控硅量大從優(yōu)

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