控 制：Controlled(取***個(gè)字母)整流器：Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12,、BCR8KM、BCR08AM等等,。雙 向：Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端：Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來命名雙向可控硅,?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。虹口區(qū)好的可控硅生產(chǎn)企業(yè)

晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號,。它屬于NPNP四層器件，三個(gè)電極分別是T1,、T2,、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2,。表示,，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對于T1,，的電壓均為正時(shí)，T2是陽極,，T1是陰極,。反之，當(dāng)G極和T2極相對于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽極,，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性,，由于正,、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā?a href="http://18740.cn/zdcbsx/zezqnx5h0m/30350735.html" target="_blank">虹口區(qū)好的可控硅生產(chǎn)企業(yè)可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,。

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。

為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，電阻取100R，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉,。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。寶山區(qū)優(yōu)勢可控硅圖片

按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。虹口區(qū)好的可控硅生產(chǎn)企業(yè)

我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d)，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,，但由于負(fù)信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠，因此在實(shí)際使用時(shí),，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,。虹口區(qū)好的可控硅生產(chǎn)企業(yè)

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