畫出它的波形圖,，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。虹口區(qū)好的可控硅量大從優(yōu)

意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA，CW=35mA,，BW=50mA,，C=25mA，B=50mA,，H=15mA，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2,， 一個(gè)門極G,， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性,。雙向可控硅門極加正,、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式,。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,，需定量掌握其主要參數(shù)，對雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求,。 [1]徐匯區(qū)制造可控硅服務(wù)熱線額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,，1000V以上的管子每200V為一級,。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極,，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由

若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；楊浦區(qū)質(zhì)量可控硅生產(chǎn)企業(yè)

反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。虹口區(qū)好的可控硅量大從優(yōu)

從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié),，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),，就會形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。虹口區(qū)好的可控硅量大從優(yōu)

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