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廣州銀蝕刻液蝕刻液生產(chǎn)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-08-17

    通過滑動(dòng)蓋24上的凸塊在過濾部件9內(nèi)部頂端內(nèi)壁的滑槽進(jìn)行滑動(dòng),,將過濾板26插入過濾部件9內(nèi)部兩側(cè)的固定槽內(nèi),,收縮彈簧管25設(shè)置有四處,分別設(shè)置在兩滑動(dòng)蓋24的內(nèi)側(cè)前面和后面,,再通過收縮彈簧管25的彈力將滑動(dòng)蓋24向內(nèi)活動(dòng),,使過濾部件9內(nèi)部空間進(jìn)行密封,有效的提高了裝置連接安裝的便利性,。推薦的,,連接構(gòu)件11設(shè)置有十四個(gè),連接構(gòu)件11設(shè)置在攪拌倉23的底部,,連接構(gòu)件11與攪拌倉23固定連接,,連接構(gòu)件11能將裝置主體1內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定,且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或拆卸的時(shí)候,,不需要使用任何工具就能完成安裝和拆卸工作,,在將兩構(gòu)件的連接管放在連接構(gòu)件11的兩端,再通過連接管與連接構(gòu)件11內(nèi)側(cè)兩端的螺紋管27進(jìn)行連接,,通過轉(zhuǎn)動(dòng)連接構(gòu)件11的兩側(cè)部位,,同時(shí)使連接管與連接構(gòu)件11的中間位置固定住,通過活動(dòng)軸28的作用,,使連接管通過連接有的螺紋向內(nèi)來連接,,使連接管將密封軟膠層29進(jìn)行擠壓,使兩構(gòu)件的連接管進(jìn)行密封連接,,有效的提高了裝置連接的實(shí)用性,。工作原理:首先檢查連接構(gòu)件11的完整性,連接構(gòu)件11的兩側(cè)嵌入連接有海綿層12,,在使用裝置制備蝕刻液的時(shí)候,,需要通過連接構(gòu)件11將裝置主體1內(nèi)部的部件進(jìn)行連接,在旋轉(zhuǎn)連接構(gòu)件11的兩側(cè)時(shí),。蝕刻液的主要成分是什么,?廣州銀蝕刻液蝕刻液生產(chǎn)

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    負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征,,上述氧化物膜推薦包含sio2,,上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序,,能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問題**少化,。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑,在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時(shí),,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長而氮化物膜未被完全去除的不良(參照?qǐng)D2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照?qǐng)D3)的發(fā)生**少化,。因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長而氮化物膜未被完全去除的不良在添加劑的防蝕能力強(qiáng)于適宜水平時(shí)發(fā)生,氧化物膜不良在添加劑的防蝕能力弱于適宜水平時(shí)發(fā)生,。以下,,對(duì)于本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的磷酸、作為添加劑的硅烷(silane)系偶聯(lián)劑以及進(jìn)行更詳細(xì)的說明,。(a)磷酸本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述磷酸(phosphoricacid)作為主氧化劑可以在使氮化物膜氧化時(shí)使用,。相對(duì)于組合物總重量,上述磷酸的含量為50~95重量%,,推薦為80~90重量%,。在上述磷酸的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下。四川市面上哪家蝕刻液費(fèi)用蘇州性價(jià)比高的蝕刻液,。

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    本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域,,具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù):廢銅蝕刻液含有可回收的金屬,,所以需要進(jìn)行回收處理,,目前通用的做法是,使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅,,或提煉成硫酸銅產(chǎn)品,,工藝落后,銅回收不徹底,,處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯,,有二次污染污染物排放,一旦處理不當(dāng)往外排放,,勢(shì)必對(duì)水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊,。市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理,,不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,,而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊,,進(jìn)而影響電解池的使用壽命,并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境,,也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理,,為此,我們提出一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,,以解決上述背景技術(shù)中提出的市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理,不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解,,使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分,,而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊,進(jìn)而影響電解池的使用壽命,,并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境,。

    過濾器的出液管自動(dòng)上行離開儲(chǔ)存罐,將裝滿的儲(chǔ)存罐從鋁蝕刻液生產(chǎn)車間移動(dòng)至自動(dòng)灌裝車間中,,將灌裝頭的快速接頭插入儲(chǔ)存罐的出液口中便可將儲(chǔ)存罐內(nèi)的鋁蝕刻液分裝,。本實(shí)用新型除上述技術(shù)方案外,還包括以下技術(shù)特征:進(jìn)一步的是,,所述地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊,,所述卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽;所述氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)包括氣缸和壓緊塊,,所述壓緊塊位于所述插槽中,,所述氣缸的伸縮桿與所述壓緊塊固連。進(jìn)一步的是,,所述拖車的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在所述儲(chǔ)存罐外部的護(hù)欄,。進(jìn)一步的是,所述拖車的頂部設(shè)置有一集液盒,,所述儲(chǔ)存罐安裝在所述集液盒中,。進(jìn)一步的是,所述拖車的頂部于所述儲(chǔ)存罐的旁側(cè)設(shè)置有集液腔室,。與現(xiàn)有技術(shù)相比,,本實(shí)用新型的有益效果是:1.將原有的大型儲(chǔ)存罐更換成數(shù)個(gè)小型儲(chǔ)存罐,并采用液壓升降式拖車帶著儲(chǔ)存罐在鋁蝕刻液生產(chǎn)車間與自動(dòng)灌裝車間之中周轉(zhuǎn),,如此便可為鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備配備全自動(dòng)灌裝線,,即提高了單瓶灌裝精度和效率,又降低了企業(yè)的人力成本投入;2.將原有的大型儲(chǔ)存罐更換成數(shù)個(gè)小型儲(chǔ)存罐,,在儲(chǔ)存罐內(nèi)在進(jìn)液時(shí),,其它儲(chǔ)存罐可以進(jìn)行定量灌裝,提高了鋁蝕刻液的生產(chǎn)效率,。附圖說明為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案,。天馬微電子用的哪家的蝕刻液?

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    因此存在開發(fā)蝕刻液組合物時(shí)會(huì)過度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問題,。美國公開**第2號(hào)公開了在3dnand閃存的制造工序中,對(duì)于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物,。然而,,為了選擇構(gòu)成成分的種類和濃度,不得不需要測(cè)試蝕刻液組合物的蝕刻性能,,實(shí)際情況是,,與上述同樣,仍然沒有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問題?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)**文獻(xiàn)**文獻(xiàn)1:美國公開**第2號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:所要解決的課題本發(fā)明是為了改善上述以往技術(shù)問題的發(fā)明,,其目的在于,提供用于選擇硅烷系偶聯(lián)劑的參數(shù)以及包含由此獲得的硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻液組合物,,所述硅烷系偶聯(lián)劑作為添加劑即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也具有在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力,。此外,本發(fā)明的目的在于,,提供一種以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中能夠*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征的蝕刻液組合物,。此外,本發(fā)明的目的在于,,提供利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法,。此外,本發(fā)明的目的在于,,提供選擇上述蝕刻液組合物所包含的硅烷系偶聯(lián)劑的方法,。解決課題的方法為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種蝕刻液組合物,,其特征在于,,包含磷酸、硅烷,。蝕刻液應(yīng)用于什么樣的場(chǎng)合,?上海ITO蝕刻液蝕刻液推薦廠家

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    本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法,。背景技術(shù):參照?qǐng)D1,,可以確認(rèn)3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來制造。在不損傷氧化物膜的同時(shí)將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一,。一般而言,,氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時(shí)*將氮化物膜完全去除的效果。但是,,想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除時(shí),,會(huì)使用防蝕能力強(qiáng)的添加劑,由此可能發(fā)生氮化物膜沒有被完全去除的工序不良(參照?qǐng)D2),。此外,,想要將氮化物膜完全去除時(shí),會(huì)使用防蝕能力弱的添加劑,,由此雖然氮化物膜被完全去除,,但是可能發(fā)生對(duì)氧化物膜也造成損傷(damage)的工序不良(參照?qǐng)D3)。以往,,為了在包含氧化物膜和氮化物膜的多層膜中*將氮化物膜選擇性完全去除而選擇具有適當(dāng)水平的防蝕能力的添加劑時(shí),,按照添加劑的種類和濃度通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行確認(rèn)。沒有這樣的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)就選擇添加劑實(shí)際上是不可能的,。廣州銀蝕刻液蝕刻液生產(chǎn)

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