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    所述支撐條431和所述第二支撐條432一一平行對(duì)應(yīng)設(shè)置,，所述連接部433活動(dòng)連接所述支撐條431和所述第二支撐條432，所述支撐條431固定設(shè)置于所述底座41上,，所述接觸部434均勻設(shè)置在所述第二支撐條432上,。同時(shí)可通過(guò)設(shè)置所述支撐條431的高度或所述支撐條431的固定位置從而調(diào)節(jié)所述底支撐件43的高度，如通過(guò)將上述支撐條431的兩端固定在兩所述豎直平板421上,。較佳的,，所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置有磁性組，所述支撐條431和所述第二支撐條432在所述磁性組提供的磁性斥力作用下具有調(diào)節(jié)間隙,。所述磁性組包括磁性件435和第二磁性件436,，所述磁性件435和所述第二磁性件436分別設(shè)置于所述支撐條431和所述第二支撐條432上,，且所述磁性件435和所述第二磁性件436之間具有磁性斥力，從而使所述第二支撐條432懸浮于所述支撐條431的上方,。所述連接部433設(shè)置有限位孔437,，所述限位孔437設(shè)置為腰型孔，所述支撐條431的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干限位塊438,，所述第二支撐條432的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干第二限位塊439，所述限位塊438和所述第二限位塊439一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,，對(duì)應(yīng)設(shè)置的所述限位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置在同一所述連接部433的所述限位孔437內(nèi),。池州半導(dǎo)體減薄用清洗劑銷(xiāo)售公司減薄清洗劑，讓您的產(chǎn)品更加完美,，滿足高精度要求,。

    磁轉(zhuǎn)子12放置在待加工部件20的待加工表面上，用于通過(guò)旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨,，對(duì)待加工表面進(jìn)行減薄,。由于減薄過(guò)程中待加工部件20如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此,，可以降低拋光減薄過(guò)程中對(duì)待加工部件20如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力,，降低待加工部件20如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷?？蛇x地,，本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)光刻膠鍵合固定待加工部件20和托盤(pán)10。當(dāng)然,，本發(fā)明并不限于此,，在其他實(shí)施例中，待加工部件20和托盤(pán)10還可以采用其他膠體進(jìn)行鍵合固定,?；诖耍鐖D2所示,，本發(fā)明實(shí)施例中的拋光減薄裝置還包括熱板14,，該熱板14設(shè)置在托盤(pán)10底部，用于對(duì)托盤(pán)10進(jìn)行加熱,，以使待加工部件20與托盤(pán)10鍵合固定,。具體地，將待加工部件20背面噴涂厚度約為2μm的光刻膠21,，如az4620光刻膠,，然后在托盤(pán)10表面噴涂厚度約為3μm的光刻膠21，如az4620光刻膠,，之后,，將托盤(pán)10光刻膠面向上放于溫度為90℃的熱板14上,，將待加工部件20光刻膠面和托盤(pán)10光刻膠面貼合，在2×10-2mabr真空下,，施加1bar壓強(qiáng)于待加工部件20上進(jìn)行鍵合,，鍵合時(shí)間20min。本發(fā)明實(shí)施例中,，采用噴頭11向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110,，來(lái)對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行拋光。需要說(shuō)明的是,。

    在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm,，體積比為3％～5％,；次氯酸鹽，體積比為30％～40％,；氫溴酸,，體積比為5％～7％，di水,，體積比50～60％,。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示,，磁轉(zhuǎn)子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結(jié)構(gòu)120和位于柱狀磁性結(jié)構(gòu)120的底部平面的研磨層121,，以通過(guò)研磨層121對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨。當(dāng)然,，本發(fā)明并不僅限于此,，在其他實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的磁轉(zhuǎn)子形狀,?？蛇x地，研磨層121為金屬氧化物層,，進(jìn)一步可選地,，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層?？蛇x地,，研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實(shí)施例中,，如圖4所示,，磁轉(zhuǎn)子12沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，如沿逆時(shí)針或順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn),，并且,，磁轉(zhuǎn)子12的長(zhǎng)度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑,，以對(duì)整個(gè)待加工表面進(jìn)行研磨。本發(fā)明實(shí)施例中,，拋光減薄裝置還包括控制部件,。控制部件與磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11相連,，用于控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作,，以對(duì)待加工表面交替進(jìn)行拋光和減薄。其中,，控制部件通過(guò)脈沖方式控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作,。可選地,，控制部件控制磁轉(zhuǎn)子12的轉(zhuǎn)速為80rpm～200rpm。去除多余涂層,，減薄用清洗劑是您不可或缺的好幫手,。

    且所述限位塊438和所述第二限位塊439均可在所述限位孔437內(nèi)移動(dòng)，通過(guò)所述連接部433的限位效果,，避免所述支撐條431和所述第二支撐條432在磁力作用下產(chǎn)生脫離,，從而使所述支撐條431和所述第二支撐條432在磁力和所述連接部433的限位力作用下保持平衡。一般的,，所述位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置為圓柱型,，從而便于所述限位塊438和所述第二限位塊439在所述限位孔437內(nèi)的移動(dòng)。當(dāng)放置于所述底支撐件43上的玻璃受到?jīng)_擊或振動(dòng)時(shí),，所述支撐條431可相對(duì)于所述第二支撐條432作水平方向的偏移移動(dòng),，或所述限位塊438和所述第二限位塊439均在所述限位孔437內(nèi)移動(dòng)，使所述支撐條431可相對(duì)于所述第二支撐條432作豎直方向的移動(dòng),，從而可實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)方向上沖擊力或振動(dòng)的吸收緩沖效果,，提高玻璃的安全性。較佳的,，所述限位塊438和所述第二限位塊439可設(shè)置為螺釘,，所述限位孔437寬度配合所述螺釘?shù)穆菁y直徑設(shè)置，在所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置螺紋孔,，通過(guò)將所述限位塊438和所述第二限位塊439與所述螺紋孔螺紋連接,，從而實(shí)現(xiàn)所述限位塊438和所述第二限位塊439在所述支撐條431和所述第二支撐條432上的固定。通過(guò)將所述限位塊438和所述第二限位塊439設(shè)置為螺釘,。選擇減薄用清洗劑,，輕松應(yīng)對(duì)各種涂層問(wèn)題，提升工作效率,。廣東半導(dǎo)體減薄用清洗劑按需定制

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    降低待加工部件20如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷,。由于本發(fā)明實(shí)施例中采用光刻膠對(duì)托盤(pán)和待加工部件進(jìn)行了固定，因此,，對(duì)待加工部件的待加工表面進(jìn)行拋光和減薄之后,，還包括：對(duì)待加工部件進(jìn)行清洗；采用特定溶液對(duì)光刻膠進(jìn)行腐蝕,，以將待加工部件與托盤(pán)分離,。具體地，在完成拋光和減薄后,，可以采用直鏈烷基苯磺酸鹽溶劑對(duì)待加工部件20進(jìn)行清洗,，用di水沖洗干凈，40℃的氮?dú)獯蹈?。之后,，將清洗后的待加工部?0和托盤(pán)10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盤(pán)10自動(dòng)分離,，取出待加工部件20后清洗干凈即可,。本發(fā)明實(shí)施例提供的方法，還包括：在磁轉(zhuǎn)子運(yùn)行一段時(shí)間后,，更換磁轉(zhuǎn)子,。如磁轉(zhuǎn)子12工作1小時(shí)后，可以將磁轉(zhuǎn)子12更換為新的磁轉(zhuǎn)子,，以使磁轉(zhuǎn)子與待加工表面貼合緊密,，避免了傳統(tǒng)減薄工藝中由于轉(zhuǎn)子形變誤差造成的加工精度失真。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述,，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處,，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于實(shí)施例公開(kāi)的裝置而言,，由于其與實(shí)施例公開(kāi)的方法相對(duì)應(yīng),，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法部分說(shuō)明即可,。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明,。紹興減薄用清洗劑銷(xiāo)售廠家