用晶圓級(jí)封裝制造的組件被guangfan用于手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,。這主要是由于市場(chǎng)對(duì)更小，更輕的電子設(shè)備的需求,，這些電子設(shè)備可以以越來(lái)越復(fù)雜的方式使用。例如，除了簡(jiǎn)單的通話(huà)外,，許多手機(jī)還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻,。晶圓級(jí)封裝也已用于多種其他應(yīng)用中,。例如，它們用于汽車(chē)輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng),，可植入醫(yī)療設(shè)備,，軍SHI數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸,，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,。然而，更重要的是,，減小的封裝尺寸允許組件用于更guangfan的高級(jí)產(chǎn)品中,。晶圓級(jí)封裝的主要市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度,。 鍵合機(jī)晶圓對(duì)準(zhǔn)鍵合是晶圓級(jí)涂層,，晶圓級(jí)封裝,，工程襯底智造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用實(shí)用的技術(shù),。進(jìn)口鍵合機(jī)微流控應(yīng)用

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接,，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器,?；旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤(pán)的熔融鍵合，從而允許晶片面對(duì)面連接,?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng),。江蘇鍵合機(jī)售后服務(wù)對(duì)于無(wú)夾層鍵合工藝,，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合,，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線(xiàn)的材質(zhì),。

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿(mǎn)足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,，例如單片3D（M3D）,。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線(xiàn)圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn),。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比,，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,，并降低了擁有成本（CoO）。

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類(lèi)型的干膠膜（膠帶）自動(dòng)無(wú)應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng),，無(wú)應(yīng)力地層壓到載體晶片上,。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔，然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上,。該材料通常是雙面膠帶,。利用沖壓技術(shù)，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,，并且與基材無(wú)關(guān),。 特征 將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng),，無(wú)應(yīng)力和無(wú)空隙地層壓到載體晶片上在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓我們?cè)诓恍柚匦屡渲糜布那闆r下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合,。

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為：黏合劑,，陽(yáng)極，直接/熔融,，玻璃料,，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用,。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝,。奧地利的EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn)，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,，同時(shí),，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,，EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓,。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),，并且可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度,。絕緣體上硅鍵合機(jī)有哪些品牌

EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑,，陽(yáng)極,，直接/熔融,，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝,。進(jìn)口鍵合機(jī)微流控應(yīng)用

EVG®850LT的LowTemp?等離子計(jì)獲模塊 2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％）,，稀有氣體（Ar，He,，Ne等）和形成氣體（N2,，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質(zhì)量流量控制器：蕞多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn)，可對(duì)配方進(jìn)行編程,，流速蕞/高可達(dá)到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）,，高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮?，超音速面積傳感器,，噴嘴,，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）,。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線(xiàn)（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線(xiàn)） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站。進(jìn)口鍵合機(jī)微流控應(yīng)用