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山西絕緣體上硅鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-06

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),,高真空晶圓鍵合平臺促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝,,高性能邏輯和“beyondCMOS” 器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺,可以針對研發(fā)和高通量,,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,,并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化,。對于所有材料組合,,都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑,,陽極,,直接/熔融,玻璃料,,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝,。山西絕緣體上硅鍵合機(jī)

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GEMINI ® FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實(shí)現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),,并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度,,適用于諸如存儲器堆疊,,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,,該鍵合對準(zhǔn)器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。內(nèi)蒙古GEMINI鍵合機(jī)EVG晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢,?

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完美的多用戶概念(無限數(shù)量的用戶帳戶,,各種訪問權(quán)限,不同的用戶界面語言) 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì),,占用空間蕞小 支持紅外對準(zhǔn)過程 EVG®610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置桌面系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動(dòng) 可選:電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償:自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,,3英寸,100毫米,,150毫米,,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):2個(gè)卡帶站 可選:蕞多5個(gè)站

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前,有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片,這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上,,以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測試點(diǎn),。這是一種實(shí)用的方法,因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中,,而只會(huì)在ZUI終測試時(shí)被拒絕,。一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,,以便于視覺隔離,。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。 EVG的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),。

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什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢,?EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場GEMING,。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,,這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500個(gè),。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供ZUI佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設(shè)計(jì)功能,,可優(yōu)化鍵合良率,。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,,EVG優(yōu)化了用于對準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹,。 清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,,使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒。山西絕緣體上硅鍵合機(jī)

Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,,讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對準(zhǔn),。山西絕緣體上硅鍵合機(jī)

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后,,將超聲波能量施加到表面上,,并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍,,但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接,,并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊,因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn),。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過程都可以完全自動(dòng)化,,并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接,,這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久,。 山西絕緣體上硅鍵合機(jī)