二,、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征：帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝（共晶,，焊料,，TLP,，直接鍵合）可選渦輪泵（<1E-5mbar）可升級(jí)陽極鍵合開放式腔室設(shè)計(jì),，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)兼容試生產(chǎn)需求：同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本開放式腔室設(shè)計(jì),，便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持,。 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī),。浙江EVG820鍵合機(jī)

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差,。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題,。在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng)、互融,，從而形成鍵合,。該過程對(duì)金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化時(shí)就會(huì)影響鍵合質(zhì)量,。MEMS鍵合機(jī)鍵合精度EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合,。

鍵合機(jī)特征高真空，對(duì)準(zhǔn),，共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,，包括金屬（鋁） 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動(dòng)化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個(gè),，蕞/大6個(gè) 加載：手動(dòng)，卡帶,，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM） 晶圓直徑 高達(dá)200毫米

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝,，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā),，中試或批量生產(chǎn),。它們通過在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空,，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應(yīng)用,。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極,，熱壓縮,，玻璃料，環(huán)氧樹脂,，UV和熔融鍵合,。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換,。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì),。使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。同時(shí),，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁,、金,、鈦、鉻,、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度,，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10,，11］,。 EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝，這對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要,。MEMS鍵合機(jī)鍵合精度

EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率,，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度,。浙江EVG820鍵合機(jī)

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE,，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比,，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）,。浙江EVG820鍵合機(jī)