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高校鍵合機(jī)廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-02-04

ComBond自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),,高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,,可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,,堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),,可以針對(duì)研發(fā)和高通量,,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化,。對(duì)于所有材料組合,都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度,。GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。高校鍵合機(jī)廠家

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載,SMIF或FOUP)

無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔

機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷


技術(shù)數(shù)據(jù):

晶圓直徑(基板尺寸)

100-200,、150-300毫米

全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

預(yù)鍵合室

對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口

對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1°

結(jié)合力:蕞高5N

鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 江蘇鍵合機(jī)摩擦學(xué)應(yīng)用在不需重新配置硬件的情況下,,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合,。

在鍵合過程中,將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢(shì)被施加,,使得負(fù)電極,,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,,正極(陽極)與硅接觸,。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng),在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),,形成二氧化硅(SiO 2),。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起,。

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,,污染,,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),,在該行業(yè)中,,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,,它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,,否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,,如果需要了解,,請(qǐng)點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。 EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝,。

共晶鍵合[8,,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),以其作為中間鍵合介質(zhì)層,,通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn),。因此,中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,,通常有鋁、金,、鈦,、鉻、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,,但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,,且其液相粘結(jié)性好,,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,,故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,,同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,, 可以阻止金向硅中擴(kuò)散[10,11],。EVG的GEMINI系列是自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),。新疆鍵合機(jī)當(dāng)?shù)貎r(jià)格

GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的,。高校鍵合機(jī)廠家

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用:適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),,可以處理從單個(gè)芯片(碎片)到150mm(200mm鍵合室為200mm)的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,,例如陽極,,玻璃粉,焊料,,共晶,,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化,,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘,。這種多功能性是大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇,。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計(jì)相同,,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,。高校鍵合機(jī)廠家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司致力于儀器儀表,,以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)管理的追求。公司自創(chuàng)立以來,,投身于磁記錄,,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),,測(cè)試儀器的批發(fā),,是儀器儀表的主力軍,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念,,影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表行業(yè),。滿足市場(chǎng)需求,,提高產(chǎn)品價(jià)值,是我們前行的力量,。