目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟,，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差,。

      本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。

在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng),、互 融，從而形成鍵合,。該過程對(duì)金的純度要求較高,，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量。 業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑,，陽極,，直接/熔融，玻璃料,，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮,。EVG850 DB鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測試之前應(yīng)用封裝和引線,，而是用于集成多個(gè)步驟,。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路,。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前,。

      像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù),。通過熔化附著在元件上的焊球,，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級(jí)組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用,。例如，它們通?？梢栽诰韼C(jī)上購買,，以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng)。 EVG610鍵合機(jī)用途是什么EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對(duì)于UV固化的黏合劑,，可選的鍵合室蓋里具有UV源。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售,，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用,。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用,，例如存儲(chǔ)器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。

特征：

在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合,，可實(shí)現(xiàn)不同材料,，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放，3D集成（例如M3）,，3DVLSI（包括背面電源分配）,，N＆P堆棧，內(nèi)存邏輯,，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200,、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時(shí)蕞多40個(gè)晶圓

處理系統(tǒng)

4個(gè)裝載口

特征：

多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊，例如清潔模塊,，LowTemp?等離子活化模塊,，對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量

光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞,，污染,，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián),，在該行業(yè)中,，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,，它們?cè)诩訜釙r(shí)需要以相似的速率膨脹,，否則差異膨脹可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,，如果需要了解,，請(qǐng)點(diǎn)擊：鍵合機(jī)。 EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),，實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性,。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金,、鈦,、鉻、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度,，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10,，11］。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合,、等離子活化直接鍵合,。半導(dǎo)體設(shè)備鍵合機(jī)值得買

GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開發(fā)的,。EVG850 DB鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

什么是永 久鍵合系統(tǒng)呢,？

EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場革命,。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè),。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能,，可優(yōu)化鍵合良率,。針對(duì)MEMS，3D集成或高級(jí)封裝的不同市場需求,，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊,。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。 EVG850 DB鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

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