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CMOS鍵合機技術(shù)支持

來源: 發(fā)布時間:2021-02-22

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護它們免受損壞,,污染,,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),,在該行業(yè)中,,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是,,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,,而無需粘合劑或過高的溫度,,而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,,并且材料組合還存在其他限制,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說,,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,,否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。

      而EVG的鍵合機所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,,如果需要了解,,請點擊:鍵合機。 以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長,。CMOS鍵合機技術(shù)支持

在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個電極之間,,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,,使得負電極,,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,,正極(陽極)與硅接觸,。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應(yīng),,形成二氧化硅(SiO 2),。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。免稅價格鍵合機美元報價EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢,?

SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng),,用于通用對準。

全自動鍵合對準系統(tǒng),,采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準,。

用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在嶺先技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要,。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。

特征:

適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,,GEMINI®200和300mm配置),。

用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸)

200,、100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室:由PP或PFA制成(可選)

清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)

旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),,由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))

超音速噴嘴

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:30-60W

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域:?4.0mm

材質(zhì):聚四氟乙烯



兆聲區(qū)域傳感器

可選的

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域:三角形,,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

材質(zhì):不銹鋼和藍寶石


刷的參數(shù):

材質(zhì):PVA

可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)

可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)

自動化晶圓處理系統(tǒng)

掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320,,使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作,,達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染,。

可選功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合,、瞬間液相鍵合、共熔鍵合,、黏合劑鍵合,、熱壓鍵合。

晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來,。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn),。通常將純硅錠切成薄片,,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離,。分離后,將它們封裝成單獨的組件,,然后將焊料引線施加到封裝上,。 EVG鍵合機通過控制溫度,壓力,,時間和氣體,,允許進行大多數(shù)鍵合過程。黑龍江EVG510鍵合機

EVG鍵合可選功能:陽極,,UV固化,,650℃加熱器。CMOS鍵合機技術(shù)支持

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng),,屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng),。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片,。EVG301具有手動加載和預(yù)對準功能,,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力,。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒,。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,,從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。CMOS鍵合機技術(shù)支持

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