EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝,，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）還可用于研發(fā),，中試或批量生產(chǎn),。它們通過(guò)在高真空，精確控制的準(zhǔn)確的真空,，溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿足各種苛刻的應(yīng)用,。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽(yáng)極,，熱壓縮,，玻璃料，環(huán)氧樹(shù)脂,，UV和熔融鍵合,。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì),，可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì),。使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù),。EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空,，快速加熱和冷卻,。高校鍵合機(jī)用途

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速?lài)娮?，超音速面積傳感器，噴嘴,，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 中國(guó)臺(tái)灣EVG850 TB鍵合機(jī)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能；200 mm的單個(gè)或雙腔自動(dòng)化系統(tǒng),。

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究,，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大,?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題,，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小,。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,，但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,，故其鍵合工藝限制較大,。

陽(yáng)極鍵合是晶片鍵合的一種方法，***用于微電子工業(yè)中,，利用熱量和靜電場(chǎng)的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起,。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱(chēng)為場(chǎng)輔助鍵合或靜電密封,，它類(lèi)似于直接鍵合,，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,，它通常不需要中間層，但不同之處在于,，它依賴(lài)于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對(duì)組件施加高電壓,。

      可以使用陽(yáng)極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是,，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉）,，以提供可移動(dòng)的正離子,。通常使用一種特定類(lèi)型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）,。 除了支持3D互連和MEMS制造,，晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),，中試和批量生產(chǎn),。

在鍵合過(guò)程中，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢(shì)被施加,，使得負(fù)電極,，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中,，正極（陽(yáng)極）與硅接觸,。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng)，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,，然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),，形成二氧化硅（SiO 2）,。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起。EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì),。紅外鍵合機(jī)供應(yīng)商家

EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì),，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。高校鍵合機(jī)用途

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開(kāi)研究,，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象,，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題,。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí),，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化,、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn),。高校鍵合機(jī)用途

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