1) 由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí),，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題,。

2) 由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低,，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化,，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。

3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,，鍵合效果不太理想，還需對(duì)工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化,，對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn),，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活,，用于PAWB（等離子基活的晶圓鍵合）,。河南官方鍵合機(jī)

      一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,，以便于視覺(jué)隔離,。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高,。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失,。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡(jiǎn)化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,，不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本,。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī),。 北京鍵合機(jī)保修期多久EVG501 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),，可實(shí)現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購(gòu)置成本,。

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開(kāi)室,，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形,，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石

刷子

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮,，介質(zhì)分配）

GEMINI ? FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度,，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的,。晶圓級(jí)涂層,、封裝，工程襯底知造,，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,，如SOI（絕緣體上硅）。

對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層,，晶圓級(jí)封裝,，工程襯底制造，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù),。反過(guò)來(lái),，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng),。這些工藝也能用于制造工程襯底,，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑,，陽(yáng)極,，直接/熔融，玻璃料,，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮,。采用哪種鍵合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝,。 鍵合機(jī)廠家EVG擁有超過(guò)25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),，擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工。同時(shí),，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合,、等離子活化直接鍵合。本地鍵合機(jī)美元價(jià)

同時(shí),，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。河南官方鍵合機(jī)

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-,。因此,，經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝,。河南官方鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表,，是一家其他型公司。公司業(yè)務(wù)分為磁記錄,，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)等,，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司注重以質(zhì)量為中心,，以服務(wù)為理念,，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造儀器儀表良好品牌,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)秉承“客戶為尊,、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先,、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念,，全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。