ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù)，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑,，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領(lǐng)域包括先進的工程襯底,，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,，可以針對研發(fā)和高通量,，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化,。對于所有材料組合，都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度,。EVG鍵合機可配置為黏合劑,，陽極，直接/熔融,，玻璃料,，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮工藝。EVG820鍵合機推薦廠家

在鍵合過程中,，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度）,，和幾百到千伏的電勢被施加,，使得負電極，這就是所謂的陰極,，是在接觸在玻璃中,，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,，然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢谩ж撾姷难鯕鈦碜圆ＡУ碾x子向陽極遷移,，并在到達邊界時與硅反應,，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起,。河北EVG810 LT鍵合機業(yè)內(nèi)主流鍵合機使用工藝：黏合劑,，陽極,，直接/熔融，玻璃料,，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮,。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,，通常有鋁,、金、鈦,、鉻,、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］,。

在將半導體晶圓切割成子部件之前,，有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上,，以激勵,，激勵和讀取相關(guān)的測試點。這是一種實用的方法,，因為有缺陷的芯片不會被封裝到蕞終的組件或集成電路中,，而只會在蕞終測試時被拒絕。一旦認為模具有缺陷,，墨水標記就會滲出模具,，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,，少于6個管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性,、高真空鍵合室,、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

臨時鍵合系統(tǒng)：

臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,，這對于3DIC,，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片,。在關(guān)鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離,。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設備中得到了體現(xiàn),，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng),；EVG820涂敷系統(tǒng),；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng),。 EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢,？GEMINI鍵合機推薦型號

EVG鍵合機軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性,，可輕松引導操作員完成每個流程步驟,。EVG820鍵合機推薦廠家

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體,。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式,。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當***行的半導體,，這是由于其在地球上的大量供應,。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體,。然后對它們進行刻劃,，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路,，例如集成電路計算機處理器,。EVG820鍵合機推薦廠家

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