可控硅可控硅簡稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。山東貿(mào)易可控硅

    可控硅觸發(fā)器/板是驅(qū)動(dòng)晶閘管的移相型電力控制器，其部件采用高性能,、高可靠性的單片機(jī),。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化,，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?，F(xiàn)場調(diào)試一般不需要示波器即可完成。接線簡單,，操作方便,，可接受信：,，手動(dòng)電位器10K，自帶限幅可調(diào)電位器,，軟起時(shí)間可設(shè)定，功能多樣化,。一般分為單相可控硅觸發(fā)板,，三相可控硅觸發(fā)板。雙向可控硅觸發(fā)板等,，輔助功能有：常用的開環(huán)觸發(fā)板比較多,，有閉環(huán)的，含恒流,，恒壓,，限壓，限流,，軟起動(dòng),，限幅等。觸發(fā)類型上分：光電隔離型觸發(fā)板,，脈沖變壓型觸發(fā)板,，變壓器隔離型觸發(fā)板，還有模擬觸發(fā)電路型等,。它可的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載,、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等,。*以鎳鉻、鐵鉻鋁,、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒,、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐,、工頻感應(yīng)爐,、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制,。*整流變壓器,、調(diào)功機(jī)（純電感線圈）、電爐變壓器一次側(cè),、升磁/退磁調(diào)節(jié),、直流電機(jī)控制。*電壓,、電流,、功率,、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)。遼寧加工可控硅代理商可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1,、J2、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。可控硅結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖可控硅工作原理編輯可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動(dòng)作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號(hào)，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下,。

    E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性,，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位2,、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1,、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1,、陽極電位低于陰極電位2,、陽極電流小于維持電流任一條件即可應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路,，交流觸發(fā)電路,，相位觸發(fā)電路等等。1,、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路,，當(dāng)E+電壓過高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,，使保險(xiǎn)絲RJ熔斷，從而起到過壓保護(hù)的作用,。2,、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種,，如圖3。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。

    表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示,，否則說明單向可控硅已損壞,。三、檢測雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件,。雙向可控硅的3個(gè)引腳分別是控制極G,，主電極T1和主電極T2，如下圖所示,。由于雙向可控硅的兩個(gè)主電極是對(duì)稱的,，因此使用中可以任意互換。檢測時(shí),，萬用表置于Rx1Ω檔,，先用兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻,，均應(yīng)為較小阻值,。如下圖所示。再用萬用表兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為無窮大，如下圖所示,。四,、檢測雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接雙向可控硅主電極T1,，紅表筆接主電極T2,，表針指示應(yīng)為無窮大，這是將控制極G與主電極T2短接一下,，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置,，如下圖所示。否則說明該雙向可控硅已壞,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。山東貿(mào)易可控硅

不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。山東貿(mào)易可控硅

    4、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí)，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成,，如下圖所示。當(dāng)陽極A端加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào)，使得BG2管有基極電流ib2通過,，經(jīng)過BG2管的放大后,，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2,，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極,，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增,，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通,。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無法關(guān)斷,，即使控制極G端的電流消失,，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。山東貿(mào)易可控硅

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