大中小igbt驅(qū)動電路,，igbt驅(qū)動電路圖,，igbt驅(qū)動電路的選擇2011-07-23王利剛QWE展開全文igbt驅(qū)動電路,，igbt驅(qū)動電路圖，igbt驅(qū)動電路的選擇上網(wǎng)時間:2011-05-04igbt驅(qū)動電路,，igbt驅(qū)動電路圖,，igbt驅(qū)動電路的選擇igbt驅(qū)動電路igbt(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。下圖所示為一個N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、傳動等領(lǐng)域,。天津大規(guī)模模塊進(jìn)貨價

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）l輸出電流10A,；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<,；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃,；l保護(hù)有過壓,、過流、短路保護(hù)功能,。2）直流電容器分為支撐電容,、儲能電容，分別用于補(bǔ)償充電和實(shí)驗(yàn)時的大電流放電,，滿足動態(tài)測試,、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測試需求,。至少包含8mF的容量,。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動態(tài)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH,、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感,，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值,，由計(jì)算機(jī)控制自動接通,；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區(qū)測試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH,、10mH,、50mH、100mHl電流通過選擇不同檔位電感,，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動切換開關(guān),，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動接通,；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配,。5）補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A,。黑龍江家居模塊IGBT模塊具有節(jié)能,、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),。

    **摘要本實(shí)用新型涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊,，包括底板、二極管芯片、主電極及外殼,，二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上,，二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接，連接橋板是具有兩個以上折彎的條板,，連接橋板的另一側(cè)通過絕緣體固定在底板上,，頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上；主電極為兩個以上的折邊的條板形,，主電極的內(nèi)側(cè)與連接橋板固定連接,，主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部，且主電極上設(shè)有的過孔與殼體上的定位凹槽對應(yīng),，上下過渡層,、二極管芯片、連接橋板,、絕緣體以及主電極一側(cè)的連接區(qū)灌注軟彈性膠密封,。本實(shí)用新型在安裝以及運(yùn)行過程中能降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，能提高二極管工作可靠性,。文檔編號H01L25/11GKSQ0公開日2008年5月21日申請日期2007年7月26日優(yōu)先權(quán)日2007年7月26日發(fā)明者劉利峰,王曉寶,。

    **名稱：非絕緣雙塔型二極管模塊的制作方法技術(shù)領(lǐng)域：本實(shí)用新型涉及一種用于逆變焊機(jī)電源及各種開關(guān)電源的二極管，尤其是涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊,。背景技術(shù)：非絕緣雙塔結(jié)構(gòu)二極管是一種標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的模塊產(chǎn)品,，由于產(chǎn)品外形簡單,、成本低,，適用范圍廣。而目前公開的非絕緣雙塔型二極管模塊,，見圖i所示,，由二極管芯片3'、底板r,、帶螺孔的主電極銅塊5'以及外殼9,，構(gòu)成，二極管芯片3'的上下面分別通過上鉬片2',、下鉬片4'與底板l'和主電極銅塊5'固定連接,，主電極銅塊5'與外殼9'和底板r之間用環(huán)氧樹脂灌注，在高溫下固化將三者固定在一起,。由于主電極為塊狀結(jié)構(gòu),，故底板、二極管芯片,、主電極之間均為硬連接,。在長期工作運(yùn)行過程中，由于二極管芯片要承受機(jī)械振動、機(jī)械應(yīng)力以及熱應(yīng)力等因素的影響,，使得二極管內(nèi)部的半導(dǎo)體二極管芯片也產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,。因與二極管芯片連接的材料不同其熱膨脹系數(shù)也不同，又會使二極管芯片產(chǎn)生熱應(yīng)力,，一旦主電極發(fā)生松動,，就會造成二極管芯片的碎裂。常規(guī)非絕緣雙塔型二極管模塊在安裝過程中是將底板安裝在散熱器上,，然后將另一電極用螺釘安裝在主電極銅塊上,，主電極所承受的外力一部分力直接作用到二極管芯片上。IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性,。

    所述工裝槽321設(shè)置在向上翹起的所述端部上。這樣,，所述壓緊部上設(shè)置有所述工裝槽的部分就不會貼合在igbt單管上,，方便從所述工裝槽內(nèi)退出工裝。如圖1所示,，可選的,，所述igbt單管2的數(shù)量為一個以上，各所述igbt單管2成排設(shè)置在所述安裝板1上,。本實(shí)施例中,，應(yīng)當(dāng)理解的是，各所述igbt單管之間相互并聯(lián),，且各所述igbt單管之間的并聯(lián)方法屬于現(xiàn)有技術(shù),，例如：各所述igbt單管通過母線銅排相并聯(lián)，本實(shí)施例對各所述igbt單管之間的電連接關(guān)系不再贅述,。各所述igbt單管成排布置,，一方面方便對各所述igbt單管進(jìn)行辨認(rèn)和電連接，另一方面還便于各所述壓緊件的布置,。如圖1和圖2所示,，可選的，所述壓緊件3的數(shù)量與所述igbt單管2的排數(shù)相等,，每個所述壓緊件3將其中一排所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上,。本實(shí)施例，一個所述壓緊件可以將一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板,，可以**的提高所述igbt單管的安裝效率,。如圖2所示，可選的,，所述壓緊件3的連接板31呈長條狀,，所述壓緊件3包括一個以上的所述壓緊部32,，各所述壓緊部32沿所述連接板31的長度方向依次連接在所述連接板31的上端。本實(shí)施例,，每個所述壓緊部下方可以安裝一個igbt單管,，這樣，相比于將所述壓緊部做成長條狀,。IGBT是一個超級電子開關(guān),，它能耐受超高電壓。湖南模塊批發(fā)價格

輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,，Ugs 越高,， Id 越大。天津大規(guī)模模塊進(jìn)貨價

    也可以用模塊中的2個半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,，即將分別將G1和G3,、G2和G4、E1和E3,、E2和E4,、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊,，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示,。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構(gòu)成三相橋電路,，也可以將模塊中的3個半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊,。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器,，不同的應(yīng)用對IGBT的要求有所不同,，故制造商習(xí)慣上會推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等,。,，CBI模塊,，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule,，整流-剎車-逆變）模塊，日系廠商則習(xí)慣稱其為PIM模塊,。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會分別給出模塊中個功能單元的參數(shù),，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術(shù)規(guī)格。表1MUBW15-12T7的主要技術(shù)規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中,，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術(shù)規(guī)格,。天津大規(guī)模模塊進(jìn)貨價

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