柵極驅(qū)動電路的阻抗越低,，這種效應(yīng)越弱，此效應(yīng)一直維持到t3時刻,，Uce降到IGBT的飽和電壓為止。它的影響同樣減緩了IGBT的開通過程,。在t3時刻后,，Ic達到穩(wěn)態(tài)值，影響柵極電壓Uge的因素消失后,，Uge以較快的上升率達到**大值,。從圖1的波形可以看出，由于Le和Cge的存在,，在IGBT的實際運行中Uge減緩了許多,，這種阻礙驅(qū)動電壓上升的效應(yīng)，表現(xiàn)為對集電極電流上升及開通過程的阻礙,。為了減緩此效應(yīng),，應(yīng)使IGBT模塊的Le和Cgc和柵極驅(qū)動電路的內(nèi)阻盡量的小，以獲得較快的開通速度,。圖2IGBT的關(guān)斷波形如圖2所示,，t0時刻驅(qū)動電壓開始下降，在t1時刻達到剛好能夠維持集電極正常工作的電流水平,，IGBT進入線性工作區(qū),。Uce開始上升，此時,柵極集電極間電容Cgc的密勒效應(yīng)支配著Uge的下降,，因Cgc耦合充電作用,，Uge在t1到t2期間基本保持不變，在t2時刻Uge和Ic開始以柵極發(fā)射極固有阻抗所決定的速度下降，在t3時Uge和Ic均降為零,，關(guān)斷結(jié)束,。從圖2可以看出，由于電容Cgc的存在,，使的IGBT的關(guān)斷過程也延長了許多,。為了減小此影響，一方面應(yīng)該選擇Cgc較小的IGBT器件,，另一方面應(yīng)該減小驅(qū)動電路的內(nèi)阻抗,，使流入Cgc的充電電流增加，可以加快Uge的下降速度,。在實際應(yīng)用中,。實際應(yīng)用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大,，反向截止性能越好,。自動化模塊施工

    功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)***寬相等，飽和壓降相等,，前后半周交替通斷,，變壓器磁心中沒有剩磁。但是,，如果IGBT驅(qū)動電路輸出脈寬不對稱或其他原因,，就會產(chǎn)生正負(fù)半周不平衡問題，此時,，變壓器內(nèi)的磁心會在某半周積累剩磁,，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象，經(jīng)過幾個脈沖,，就可以使變壓器單向磁通達到飽和,，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài),。這對于IGBT來說,，極其危險，可能引發(fā),。橋式電路的另一缺點是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象,。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導(dǎo)通區(qū)間出現(xiàn)重疊，主電路板路,，巨大的加路電流瞬時通過IGBT,。針對上述兩點不足，從驅(qū)動的角度出發(fā),、設(shè)計的驅(qū)動電路必須滿足四路驅(qū)動的波形完全對稱,，嚴(yán)格限制比較大工作脈寬,，保證死區(qū)時間足夠，,，其驅(qū)動與MOSFET驅(qū)動相似,，是電壓控制器件，驅(qū)動功率小,。但IGBT的柵極與發(fā)射極之間,、柵極與集電極之間存在著結(jié)間電容，在它的射極回路中存在著漏電感,，由于這些分布參數(shù)的影響,，使得IGBT的驅(qū)動波形與理想驅(qū)動波形產(chǎn)生較大的變化，并產(chǎn)生了不利于IGBT開通和關(guān)斷的因素,。IGBT開關(guān)等效電路如圖2a所示,。E是驅(qū)動信號源，R是驅(qū)動電路內(nèi)陰,，Rg為柵極串聯(lián)電阻Cge,、Cgc分別為柵極與發(fā)射極、集電極之間的寄生電容,。常規(guī)模塊類型外加正向電壓較小時,，二極管呈現(xiàn)的電阻較大，正向電流幾乎為零,。

    加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓,。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET,，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點,，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點,，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越***的應(yīng)用,，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位,。IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,，則MOSFET導(dǎo)通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,，則MOS截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止,。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,。

    進而控制Uge的下降速度；當(dāng)電容電壓上升至VZ2的擊穿電壓時,，VZ2擊PDF文件使用"pdfFactoryPro"試用版本創(chuàng)建江蘇宏微科技有限公司設(shè)計天地與應(yīng)用指南穿,，Uge被鉗位在一個固定的值上，慢降柵壓過程結(jié)束,。同時驅(qū)動電路通過光耦輸出故障信號,。如果在延時過程中，故障信號消失了,，則a點電壓降低,，VT1恢復(fù)截止，C1通過R2放電,，d點電位升高,，VT2也恢復(fù)截止，Uge上升,，電路恢復(fù)正常工作狀態(tài),。，尤其是在短路故障的情況下,，如不采取軟關(guān)斷措施,，它的臨界電流下降率將達到kA/μS。極高的電壓下降率將會在主電路的分布電感上感應(yīng)出很高的過電壓,，導(dǎo)致IGBT關(guān)斷時電流電壓的運行軌跡超出安全工作區(qū)而損壞,。所以從關(guān)斷的角度考慮，希望主電路的電感和電流下降率越小越好,。但是對IGBT的開通來說,，集電極電路的電感有利抑制反向二極管的反向恢復(fù)電流和電容器充放電造成的峰值電流,，能減小開通損耗，承受較高的開通電流上升率,。一般情況下,，IGBT開關(guān)電路的集電極不需要串聯(lián)電感，其開通損耗可以通過改善柵極驅(qū)動條件加以控制,。,，通常都要給IGBT主電路設(shè)計關(guān)斷吸收緩沖電路。IGBT的關(guān)斷緩沖吸收電路可分為充放電型和放電阻止型,。充放電型有RC吸收和RCD吸收兩種,。過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路。

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前,，功率場效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場合,，晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域,。MOSFET雖然有開關(guān)速度快,、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好,、驅(qū)動電路簡單的優(yōu)點;但是,，在200V或更高電壓的場合，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加,，使得其功耗大幅增加,，存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷,。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?，雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,，但是它要求的驅(qū)動電流大,，控制電路非常復(fù)雜，而且交換速度不夠快,。二極管由管芯、管殼和兩個電極構(gòu)成,。管芯是一個PN結(jié),，在PN結(jié)的兩端各引出一個引線。常規(guī)模塊類型

二極管由管芯,、管殼和兩個電極構(gòu)成,。管芯是一個PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個引線,，并用塑料,。自動化模塊施工

    IGBT的Uge幅值也影響著飽和導(dǎo)通壓降：Uge增加,，飽和導(dǎo)通壓降將減小。由于飽和導(dǎo)通壓降是IGBT發(fā)熱的主要原因之一,，因此必須盡量減小,。通常Uge為15至18V，若過高,，容易造成柵極擊穿,。一般取15V，IGBT關(guān)斷時給其柵極發(fā)射極加一負(fù)偏壓有利于提高IGBT的抗干擾的能力,，通常取5到10V,。、下降速率對IGBT的開通和關(guān)斷過程有著較大的影響,。在高頻應(yīng)用場合,，驅(qū)動電壓的上升、下降速率應(yīng)盡量快一些,，以提高IGBT的開關(guān)速度,，降低損耗。減小柵極串聯(lián)電阻,，可以提高IGBT的開關(guān)速度,，降低開關(guān)損耗，用戶可根據(jù)實際應(yīng)用的頻率范圍,，選擇合適的柵極驅(qū)動電阻,，也可以選擇開通和關(guān)斷不同的柵極串聯(lián)電阻值。在正常情況下IGBT的開通速度越快,，損耗越小,。但在開通過程中如有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快,，IGBT承受的峰值電流越大,，越容易導(dǎo)致IGBT損壞。因此應(yīng)該降低柵極驅(qū)動電壓的上升速率,既增加?xùn)艠O串聯(lián)電阻的阻值,，抑制該電流的峰值,。其代價是較大的開通損耗。利用此技術(shù),，開通過程的電流峰值可以控制在任意值,。由以上分析可知，柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT開通過程影響較大,，而對關(guān)斷過程影響小一些,，串聯(lián)電阻小有利于加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗,。自動化模塊施工

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201,，是一家專業(yè)的一般項目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢,、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣,；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售,；機械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動和電動工具銷售；電氣設(shè)備銷售,；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售,；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售,；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售；模具銷售,；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售,；電工器材銷售；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售,；辦公設(shè)備耗材銷售,；辦公用品銷售；日用百貨銷售,；機械設(shè)備銷售,；超導(dǎo)材料銷售；密封用填料銷售,；密封件銷售；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售,；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā)；文具用品零售,；金屬材料銷售,；金屬制品銷售；金屬工具銷售,；環(huán)境保護設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售；集成電路設(shè)計,；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）公司。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),，以誠信,、敬業(yè)、進取為宗旨,，以建英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品為目標(biāo),，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè)。我公司擁有強大的技術(shù)實力,，多年來一直專注于一般項目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢,、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣,；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售；電子測量儀器銷售,；機械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動和電動工具銷售；電氣設(shè)備銷售,；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售；半導(dǎo)體照明器件銷售,；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售；集成電路銷售,；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售,；模具銷售；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售,；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售,；辦公用品銷售,；日用百貨銷售；機械設(shè)備銷售,；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售；密封件銷售,；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā),；文具用品零售；金屬材料銷售,；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售,；集成電路設(shè)計；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）的發(fā)展和創(chuàng)新,，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。自公司成立以來,，一直秉承“以質(zhì)量求生存,，以信譽求發(fā)展”的經(jīng)營理念，始終堅持以客戶的需求和滿意為重點,，為客戶提供良好的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器,，從而使公司不斷發(fā)展壯大。