發(fā)表于2018-01-0215:42?665次閱讀國(guó)產(chǎn)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究報(bào)告發(fā)表于2018-01-0215:00?327次閱讀純電感電路中電壓與電流的關(guān)系解析本文主要介紹了電感的概念與電感器的結(jié)構(gòu)，其次詳細(xì)的說(shuō)明了在純電感電路中電壓與電流間的數(shù)量關(guān)系以及在交...發(fā)表于2017-12-2616:52?1515次閱讀電壓220v與380v的區(qū)別220V和380V的電壓有什么區(qū)別,？本文為大家?guī)?lái)具體介紹,。發(fā)表于2017-12-2310:18?469次閱讀國(guó)家電網(wǎng)充電樁怎么用？國(guó)家電網(wǎng)充電樁功率多少,？國(guó)家電網(wǎng)充電樁用法使用指南...國(guó)家電網(wǎng)充電樁功率交流充電樁一般是16A@220V（...發(fā)表于2017-12-2015:36?2853次閱讀電氣設(shè)備換了腫么辦,？看完這文也會(huì)維修了直觀法直觀法是根據(jù)電器故障的外部表現(xiàn)，通過(guò)看,、聞,、聽等手段，檢查,、判斷故障的方法,。（1）檢查步驟：...發(fā)表于2017-12-1918:30?762次閱讀三相電總功率計(jì)算公式解讀功率因數(shù)是表示耗用有功、無(wú)功電流的比值,，因?yàn)殡姍C(jī)是需要有功和無(wú)功電流激磁運(yùn)行的,，電機(jī)滿載時(shí)，耗用有...發(fā)表于2017-12-1609:47?1987次閱讀手機(jī)輸出功率檢測(cè)反饋控制電路設(shè)計(jì)為了保證系統(tǒng)的容量及互操作性,。又可以應(yīng)用在急救除顫器上,，使其從200V電源輸出100KW的雙向震動(dòng)。湖北標(biāo)準(zhǔn)模塊

    KY3-B2型可控硅移相觸發(fā)板一,、概述KY3-B2型三相閉環(huán)觸發(fā)器是引進(jìn)國(guó)外**的**可控硅移相觸發(fā)集成電路,。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性和穩(wěn)定性，不隨環(huán)境溫度變化,，無(wú)相序要求,。內(nèi)含完整的缺相,、過(guò)流、過(guò)熱等故障保護(hù)功能,；具有高精度,、功能完善、使用簡(jiǎn)單可靠,、易調(diào)試,、抗干擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。它可***的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),，適用于電阻性負(fù)載,、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等,。其主要應(yīng)用于大功率電源,、高頻設(shè)備交直流調(diào)壓、鹽浴爐,、工頻感應(yīng)爐,、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業(yè)爐,；整流變壓器,、調(diào)工機(jī)、電爐變壓器一次側(cè),、充磁退磁調(diào)節(jié),、直流電機(jī)調(diào)速控制,、電機(jī)軟啟動(dòng)節(jié)能裝置,；以鎳、鐵鉻,、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒,、硅碳棒等加熱元件的溫度控制等等。二,、性能特點(diǎn)○無(wú)相序要求限制,，可用于電源為220V與380V電源頻率50/60Hz電網(wǎng)?！鹉芘c國(guó)內(nèi)外各種控制儀表（溫控儀）,、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口?！疬m用于阻性負(fù)載,、感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等各種負(fù)載類型,?！鹁哂熊泦?dòng)軟停止功能,，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠,?！痱?qū)動(dòng)能力強(qiáng)，每路可以輸出800毫安的電流,，可以驅(qū)動(dòng)4000A可控硅,。○具有缺相,、過(guò)流,、過(guò)壓保護(hù)功能。江西進(jìn)口模塊量大從優(yōu)新能源汽車上用的IGBT模塊,，客戶要求CTI值大于250V左右,。

    作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個(gè)**的繞組,，輸出兩路隔離電源,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型能夠有效保護(hù)igbt模塊,，并且該實(shí)用新型原邊電路集成了死區(qū)電路,、互鎖電路和保護(hù)電路，可以提高抗干擾能力,，提高驅(qū)動(dòng)電路可靠性,。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器驅(qū)動(dòng)電路示意圖。圖2為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器的具體驅(qū)動(dòng)電路,。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,，顯然,，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例,?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍,。請(qǐng)參閱圖1-2，實(shí)施例1：本實(shí)用新型實(shí)施例中,，風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路,，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，原邊電路包括死區(qū)電路,、互鎖電路,、保護(hù)電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路,，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路,，副邊電路包括±15v驅(qū)動(dòng)電源、驅(qū)動(dòng)電路和vce-sat檢測(cè)電路,。原邊電路包括上下管的死區(qū)電路,、互鎖電路和保護(hù)電路。

    圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖,。圖中：1為多晶硅層,，2為氧化層，21為***氧化層,，22為第二氧化層,，23為**氧化層，3為光刻膠,。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,，顯然,，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例,?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍,。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu),，兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱,，溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,，***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū)，第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū),，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度,，因此本實(shí)施例的結(jié)電容更小,。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例減小結(jié)電容的方式是通過(guò)增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變,，因此本實(shí)施例在減小結(jié)電容的同時(shí)并不會(huì)造成器件整體性能變差,。聚苯硫醚PPS是一種白色、堅(jiān)硬的聚合物類,，具有良好化學(xué)結(jié)晶度的特種熱塑性工程塑料.

    TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說(shuō)明單正向柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勝之處,。但在這個(gè)測(cè)試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒(méi)有完全計(jì)算在內(nèi),。為了只顯示出IGBT對(duì)整體電流的影響,，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測(cè)試，如圖9中的Ice(cntrl),。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒(méi)有IGBT情況下,，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動(dòng)器的I電流,。兩種情況下的電流都很低,，分別為1A和。圖10其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值圖11IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流,，結(jié)果是I（負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可見總的減小為17:=21:1在相同的測(cè)試條件下,，當(dāng)柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動(dòng)情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1,。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動(dòng),，電流很小，對(duì)功耗的影響幾乎可以忽略,。IGBT既可以幫助空調(diào),、洗衣機(jī)實(shí)現(xiàn)較小的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排,。河南標(biāo)準(zhǔn)模塊

新能源汽車的成本構(gòu)成中,，動(dòng)力電池占比比較高，其次則是IGBT,。湖北標(biāo)準(zhǔn)模塊

    所述***氧化層厚度為1000-1200a,。進(jìn)一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a,。進(jìn)一步地,，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有***摻雜區(qū)，所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導(dǎo)體襯底的類型相反,。進(jìn)一步地,，在所述***摻雜區(qū)的內(nèi)表面設(shè)置兩個(gè)第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反,，兩個(gè)所述第二摻雜區(qū)分別設(shè)置在靠近兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)的一側(cè),，所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸,。進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體的底部還設(shè)置有緩沖層和集電極,，所述集電極設(shè)置在比較低層,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型提供的溝槽柵igbt通過(guò)在溝槽內(nèi)設(shè)置兩種厚度氧化層,，兩種厚度氧化層分別為***氧化層和第二氧化層,，該第二氧化層厚度大于***氧化層厚度，因?yàn)榻Y(jié)電容與氧化層的厚度成反比,，因此增加氧化層的厚度會(huì)降低器件的結(jié)電容大小,，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容大的問(wèn)題，從而提高了本實(shí)用新型的開關(guān)特性,，使得本實(shí)用新型可應(yīng)用于高頻場(chǎng)景,。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中平面柵igbt的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt的示意圖,；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖,；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵igbt的示意圖。湖北標(biāo)準(zhǔn)模塊

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù),、技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,、技術(shù)推廣；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售,；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售,；電子測(cè)量?jī)x器銷售；機(jī)械電氣設(shè)備銷售,；風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售,；電氣設(shè)備銷售；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售,；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售,；集成電路銷售,；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售,；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售,；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售；辦公設(shè)備耗材銷售,；辦公用品銷售,；日用百貨銷售；機(jī)械設(shè)備銷售,；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售；密封件銷售,；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā),；文具用品零售；金屬材料銷售,；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售,；集成電路設(shè)計(jì)；集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)）的公司,，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè),。公司自創(chuàng)立以來(lái),，投身于IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器，是電子元器件的主力軍,。江蘇芯鉆時(shí)代致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心,，為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。江蘇芯鉆時(shí)代始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng),，以敏銳的市場(chǎng)洞察力,，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏,。