交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路,。過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通,。由于采用過零觸發(fā),，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。1過零檢測電路電路設(shè)計如圖1所示,，為了提高效率,，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步,，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)大于4V,，脈沖寬度應(yīng)大于20us.圖中BT為變壓器,，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用,。當正弦交流電壓接近零時,，光電耦合器的兩個發(fā)光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通,，產(chǎn)生負脈沖信號,，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳,，以引起中斷,。在中斷服務(wù)子程序中使用定時器累計移相時間，然后發(fā)出雙向可控硅的同步觸發(fā)信號,。過零檢測電路A,、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。2過零觸發(fā)電路電路如圖3所示,，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動器,，也屬于光電耦合器的一種，用來驅(qū)動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用,，R6為觸發(fā)限流電阻,，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā),，提高抗干擾能力,。當單片機80C51的，MOC3061導通,，觸發(fā)BCR導通,，接通交流負載。另外,，若雙向可控硅接感流負載時,，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此,，當負載電流為零時,。雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的,。吉林貿(mào)易英飛凌可控硅報價

    可控硅的主要參數(shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,。可控硅分類編輯可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷,、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。,。吉林貿(mào)易英飛凌可控硅報價可控硅的優(yōu)點很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,。

    TO-263）7.產(chǎn)品使用范圍適用于散熱條件差的高溫環(huán)境,，例如暖氣設(shè)備和白色貨物/大型家電等常用于交流電路,、電機速度控制、燈光調(diào)節(jié)器,、壓力控制系統(tǒng)和其他電子組件,。用固態(tài)開關(guān)控制電流，常用于家用電器,、電動工具和戶外設(shè)備的電路保護提供各種通孔型和表面貼裝型安裝選擇為洗衣機閥門控制,、機械和混合繼電器等長壽命白色家電產(chǎn)品而設(shè)計，用于較低的電流加熱控制,、水閥門和螺線管,，通常應(yīng)用于交流固態(tài)開關(guān)、家庭/褐色家電和大型家用電器,。靈敏型三端雙向可控硅可直接由微處理器或普通光耦合器/絕緣器驅(qū)動,。用于如護發(fā)設(shè)備中的加熱控制以及要求長壽命的機械開關(guān)觸頭的備用件等低電流應(yīng)用場合。應(yīng)用于交流電源開關(guān)和相位控制應(yīng)用中,，例如加熱,、照明和電機轉(zhuǎn)速控制等其標準應(yīng)用范圍包含交流固態(tài)開關(guān),、燈光調(diào)節(jié)器,、電動工具、家用電器/褐色家電和白色家電,。三端雙向交變可控硅元件（無緩沖需要）可用于對交換性能要求的極端電感負載應(yīng)用中,。內(nèi)部絕緣的包裝構(gòu)造便于絕緣電壓下熱量的散發(fā)。補償無功功率的進相器控制,轉(zhuǎn)速控制,非標直流調(diào)速器,直流控制器,正反轉(zhuǎn)調(diào)速器過零,交流調(diào)速器,電機調(diào)速器,電子調(diào)速開關(guān),直流調(diào)速器,直流電機調(diào)速器,馬達調(diào)速器,交流電子調(diào)速器,風機調(diào)速器,。

    中文名單向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier別名可控硅整流器性質(zhì)電子元件目錄1結(jié)構(gòu)控制2對比3引腳區(qū)分4性能檢測5單向和雙向可控硅的區(qū)分單向可控硅結(jié)構(gòu)控制編輯單向可控硅為具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu),，由外層的P層、N層引出兩個電極――陽極A和陰極K,，由中間的P層引出控制極G,。電路符號好像為一只二極管，但好多一個引出電極――控制極或觸發(fā)極G,。SCR或MCR為英文縮寫名稱,。從控制原理上可等效為一只PNP三極管和一只NPN三極管的連接電路，兩管的基極電流和集電極電流互為通路,，具有強烈的正反反饋作用,。一旦從G、K回路輸入NPN管子的基極電流,，由于正反饋作用,，兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)?？煽毓鑼ㄖ?，它的導通狀態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導通狀態(tài),?？刂菩盘朥GK的作用是觸發(fā)可控硅使其導通，導通之后,，控制信號便失去控制作用,。單向可控硅的導通需要兩個條件：1）A、K之間加正向電壓,；2）G,、K之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號，無論是直流或脈沖信號,。若欲使可控硅關(guān)斷,，也有兩個關(guān)斷條件：1）使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2）使A,、K之間電壓反向,。可見,，可控硅器件若用于直流電路,。一象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓,。

    可控硅開關(guān)可控硅又叫晶閘管,，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，故稱可控硅,，它是一種大功率開關(guān)型半導體器件,，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）,。中文名可控硅開關(guān)外文名Thyristor別稱晶體閘流管性質(zhì)大功率開關(guān)型半導體器件目錄1分類2特點及應(yīng)用3鑒別硅電極4封裝形式品牌可控硅開關(guān)分類編輯按關(guān)斷,、導通及控制方式分類可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆可控硅開關(guān)導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。[1]按引腳和極性分類可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。[1]按封裝形式分類可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。[1]按電流容量分類可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。[1]按關(guān)斷速度分類可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。又因為晶閘管在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。吉林貿(mào)易英飛凌可控硅報價

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,。吉林貿(mào)易英飛凌可控硅報價

    晶閘管)回到導通狀態(tài),。為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R,，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通,。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通,。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導通,。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰。吉林貿(mào)易英飛凌可控硅報價