從前面對(duì)整流橋帶散熱器來實(shí)現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出,，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的,，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時(shí),，就忽約其通過引腳的傳熱量。現(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗(大為)來分析,。假設(shè)整流橋殼體外表面上的溫度為結(jié)溫(即),，表面換熱系數(shù)為(在一般情況下，強(qiáng)迫風(fēng)冷的對(duì)流換熱系數(shù)為20~40W/m2C),。那么在環(huán)境溫度為,，通過整流橋正表面散發(fā)到環(huán)境中的熱量為:忽約整流橋引腳的傳熱量，則通過整流橋背面的傳熱量為:由于在整流橋殼體表面上的兩個(gè)傳熱途徑上(殼體正面,、殼體背面)的熱阻分別為:根據(jù)熱阻的定義式有:所以:由上式可以看出:整流橋的結(jié)溫與殼體正面的溫差遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于結(jié)溫與殼體背面的溫差,，也就是說，實(shí)際上整流橋的殼體正表面的溫度是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其背面的溫度的,。如果我們?cè)跍y(cè)量時(shí),，把整流橋殼體正面溫度(通常情況下比較好測(cè)量)來作為我們計(jì)算的殼溫，那么我們就會(huì)過高地估計(jì)整流橋的結(jié)溫了!那么既然如此,，我們應(yīng)該怎樣來確定計(jì)算的殼溫呢?由于整流橋的背面是和散熱器相互連接的,，并且熱量主要是通過散熱器散發(fā)，散熱器的基板溫度和整流橋的背面殼體溫度間只有接觸熱阻,。一般而言,，接觸熱阻的數(shù)值很小。二極管只允許電流單向通過,，所以將其接入交流電路時(shí)它能使電路中的電流只按單向流動(dòng),。西藏品質(zhì)infineon英飛凌整流橋銷售廠

大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”,、“～”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,，“一”為輸出電壓的負(fù)極，兩個(gè)“～”為交流電壓輸入端),，很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí),，可通過分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“～”極,、“一”極與兩個(gè)“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常,，即可判斷該全橋是否損壞,。若測(cè)得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞,。高壓硅堆的檢測(cè)高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成，檢測(cè)時(shí),，可用萬(wàn)用表的R×lok擋測(cè)量其正,、反向電阻值,。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl，反向電阻值為無(wú)窮大,。若測(cè)得其正,、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已被擊穿損壞,。肖特基二極管的檢測(cè)二端肖特基二極管可以用萬(wàn)用表Rl擋測(cè)量,。正常時(shí)，其正向電阻值(黑表筆接正極)為～,，反向電阻值為無(wú)窮大,。若測(cè)得正、反向電阻值均為無(wú)窮大或均接近O,，則說明該二極管已開路或擊穿損壞,。三端肖特基二極管應(yīng)先測(cè)出其公共端，判別出是共陰對(duì)管,，還是共陽(yáng)對(duì)管,，然后再分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)二極管的正、廈向電阻值,。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法,。西藏品質(zhì)infineon英飛凌整流橋銷售廠通俗的來說二極管它是正向?qū)ê头聪蚪刂梗簿褪钦f,，二極管只允許它的正極進(jìn)正電和負(fù)極進(jìn)負(fù)電,。

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn),，還不會(huì)給終的計(jì)算帶來不可容忍的誤差,。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過程,，在此本文通過仿真軟件詳細(xì)的整流橋模型來對(duì)帶有散熱器,、強(qiáng)迫風(fēng)冷下的整流橋散熱問題進(jìn)行進(jìn)一步的闡述。圖5,、仿真計(jì)算模型如上圖是仿真計(jì)算的模型外型圖,。在該模型中，通過解剖一整流橋后得到的相關(guān)尺寸參數(shù)來進(jìn)行仿真分析模型的建立,。其仿真分析結(jié)果如下所示:圖6,、整流橋散熱器基板溫度分布有上圖可以看出，整流橋散熱器的基板溫度分布相對(duì)而言還是比較均勻的,，約70℃左右,。即使在四個(gè)二極管正下方的溫度與整流橋殼體背面與散熱器相接觸的外邊緣，也只有5℃左右的溫差,。這主要是由于散熱器基板是一有一定厚度且導(dǎo)熱性能較好的鋁板,，它能夠有效地把整流橋背面的不均勻溫度進(jìn)行均勻化,。整流橋殼體正面表面的溫度分布。從上圖可以看出,，整流橋殼體正面的溫度分布是極不均勻的,，在熱源(二極管)的正上方其表面溫度達(dá)到109℃，然而在整流橋的中間位置,，遠(yuǎn)離熱源處卻只有75℃,，其表面的溫差可達(dá)到34℃左右。

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,。背景技術(shù)：目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用，由于用量十分巨大,，對(duì)于成本的要求比較高,。隨著系統(tǒng)成本的一再降低，主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,，很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件,，同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限，基本也壓縮到了,。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋,、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管,、電感,、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片,，導(dǎo)致芯片的封裝成本高,，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此,，如何節(jié)省封裝成本,，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),，本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,，本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括：塑封體,，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳,、零線管腳、高壓供電管腳,、信號(hào)地管腳,、漏極管腳,、采樣管腳。而整流橋就是整流器的一種,，另外,，可以說整流二極管是**簡(jiǎn)單的整流器。

以上就是ASEMI對(duì)于整流橋接法的兩個(gè)方面介紹正,、負(fù)極性全波整流電路及故障處理如圖9-24所示是能夠輸出正,、負(fù)極性單向脈動(dòng)直流電壓的全波整流電路。電路中的T1是電源變壓器,，它的次級(jí)線圈有一個(gè)中心抽頭,，抽頭接地。電路由兩組全波整流電路構(gòu)成,，VD2和VD4構(gòu)成一組正極性全波整流電路,，VD1和VD3構(gòu)成另一組負(fù)極性全波整流電路，兩組全波整流電路共用次級(jí)線圈,。圖9-24輸出正,、負(fù)極性直流電壓的全波整流電路1．電路分析方法關(guān)于正、負(fù)極性全波整流電路分析方法說明下列2點(diǎn)：（1）在確定了電路結(jié)構(gòu)之后,，電路分析方法和普通的全波整流電路一樣,，只是需要分別分析兩組不同極性全波整流電路，如果已經(jīng)掌握了全波整流電路的工作原理,，則只需要確定兩組全波整流電路的組成,，而不必具體分析電路。（2）確定整流電路輸出電壓極性的方法是：兩二極管負(fù)極相連的是正極性輸出端（VD2和VD4連接端）,，兩二極管正極相連的是負(fù)極性輸出端（VD1和VD3連接端）,。2．電路工作原理分析如表9-28所示是這一正、負(fù)極性全波整流電路的工作原理解說,。3．故障檢測(cè)方法關(guān)于這一電路的故障檢測(cè)方法說明下列幾點(diǎn)：（1）如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時(shí),，可以不必檢查整流二極管。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓,。西藏品質(zhì)infineon英飛凌整流橋銷售廠

在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板,，他們分別與輸入引**流輸入導(dǎo)線）相連。西藏品質(zhì)infineon英飛凌整流橋銷售廠

金屬引線的一端設(shè)置在與管腳連接的導(dǎo)電部件上),，能實(shí)現(xiàn)電連接即可,，不限于本實(shí)施例。需要說明的是,，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實(shí)現(xiàn),，不限于本實(shí)施例，任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可,，在此不一一贅述,。如圖1所示,，在本實(shí)施例中，所述功率開關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi),。具體地,，所述功率開關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口,，柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào)),；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開關(guān)管的漏極,，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd,。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain,，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs,。在本實(shí)施例中，所述控制芯片12的底面為襯底,，通過導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上,，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則，通過金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接,；漏極端口d通過金屬引線連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs,。西藏品質(zhì)infineon英飛凌整流橋銷售廠