否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時,，熱量來不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高，終將導致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,，例如，變流裝置本身晶閘管損壞,，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等,。常用的晶閘管過電流保護方法是快速熔斷器,。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護晶閘管,。埋銀保險石英砂內(nèi)快速熔斷器,，熔斷時間很短，它可以用來保護晶閘管,。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征,。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換，可以通過選用中國與其工作性能設計參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號晶閘管來代換,。在應用電路的設計中,，通常有很大的余量。更換晶閘管時,，只需注意其額定峰值電壓(重復峰值電壓),、額定電流(通態(tài)均勻電流)、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流,，特別是這兩個指示器的額定峰值電壓和額定電流,。代換晶閘管工作應與設備損壞或者晶閘管的開關(guān)發(fā)展速度…致。例如：在脈沖控制電路,、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進行損壞后,，只能我們選用同類型的快速改變晶閘管，而不能用一個普通晶閘管來代換,。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。上海常見意大利POSEICO晶閘管模塊供應
具有單向?qū)щ娞匦?，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié),。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值,，即能確定三個電極,。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極,。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G,。在阻值為幾百歐姆的測量中,，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中,，紅表筆接的是陽極A,，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G,，應用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正,、反向電阻,，若正、反向電阻均接近無窮大,，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極,。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K,。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A，另一端為陰極K,。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A,，且多與自帶散熱片相連,。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量,。江蘇意大利POSEICO晶閘管模塊值得推薦根據(jù)晶閘管的工作特性,，常見的應用就是現(xiàn)場用的不間斷應急燈。
有三個不同電極,、陽極A,、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流,，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生,，而且動作快、壽命長,、可靠性好,。在調(diào)速、調(diào)光,、調(diào)壓,、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,，符號也不同。單向可控硅有三個PN結(jié),，由外層的P極和N極引出兩個電極,，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極,。雙向可控硅有其獨特的特點：當陽極接合,，陽極接合或柵極的正向電壓，但沒有施加電壓時,，它不導通,，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時，它將被關(guān)上。一旦開啟,，控制電壓有它的作用失去了控制,，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓,，將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值,，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下,，面向側(cè)面有字符)。當施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,，其傳導電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時,，其導通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載。
使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路，不*使設備的體積重量增大,，而且會降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。晶閘管可分為普通晶閘管,、雙向晶閘管,、逆導晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管,、晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管多種,。
這對晶閘管是非常危險的,。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如,，交流以及開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進行電容,、漏抗造成的諧振控制回路,、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地,，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高,，在空載情況下可以斷開回路設計將會有更高的過電壓。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大，就會產(chǎn)生較大的過電壓,。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負荷,、導通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時,，引起電流突變,。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓,。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感,、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高,，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的抑制方法,，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減,；抑制過電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑。晶閘管為半控型電力電子器件,。上海常見意大利POSEICO晶閘管模塊供應
正向比較大阻斷電壓,，是指門極開路時，允許加在陽極,、陰極之間的比較大正向電壓,。上海常見意大利POSEICO晶閘管模塊供應
如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起,。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,，從電路功能上可以把它等效成圖3(c),，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的,。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導通,。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極,。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,，對一個管子是陽極,，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣,。因此,，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發(fā)導通,。不*如此,，雙向晶閘管還有一個重要的特點，這就是：不管觸發(fā)信號的極性如何,，也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的,?？焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關(guān)斷需要一定時間,，同時陽極電壓上升速度太快時,，會使元件誤導通,；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件,。上海常見意大利POSEICO晶閘管模塊供應