射頻MEMS器件分為MEMS濾波器,、MEMS開(kāi)關(guān),、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器,、低噪聲放大器,、功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)等器件組成,，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件,，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過(guò)50%,，主要由村田制作所等國(guó)外公司生產(chǎn),。因?yàn)闆](méi)有適用的國(guó)產(chǎn)5GMEMS濾波器，因此華為手機(jī)只能用4G,，也是這個(gè)原因,，可見(jiàn)MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW,、BAW,、FBAR等），負(fù)責(zé)接收通道的射頻信號(hào)濾波,，將接收的多種射頻信號(hào)中特定頻率的信號(hào)輸出,，將其他頻率信號(hào)濾除。以SAW聲表面波為例,，通過(guò)電磁信號(hào)-聲波-電磁信號(hào)的兩次轉(zhuǎn)換,，將不受歡迎的頻率信號(hào)濾除,。MEMS的超材料介紹與講解,。山東MEMS微納米加工常見(jiàn)問(wèn)題

神經(jīng)電子芯片的MEMS微納加工技術(shù)與臨床應(yīng)用：神經(jīng)電子芯片作為植入式醫(yī)療設(shè)備的**組件,，對(duì)微型化,、生物相容性及功能集成度提出了極高要求,。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開(kāi)發(fā)多通道神經(jīng)電刺激SoC芯片,，可實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電與通訊功能,，將控制信號(hào)轉(zhuǎn)化為精細(xì)電刺激脈沖，用于神經(jīng)感知,、調(diào)控及阻斷,。以128像素視網(wǎng)膜假體芯片為例，通過(guò)MEMS薄膜沉積技術(shù)在硅基基板上制備高密度電極陣列,，單個(gè)電極尺寸*50μm×50μm,，間距100μm，確保對(duì)視網(wǎng)膜神經(jīng)細(xì)胞的靶向刺激,。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復(fù)合涂層,，經(jīng)120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm,，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應(yīng),，植入體壽命可達(dá)5年以上。目前該芯片已批量交付,，由母公司中科先見(jiàn)推進(jìn)至臨床前動(dòng)物實(shí)驗(yàn)階段,，針對(duì)視網(wǎng)膜退行***變患者，可重建0.1-0.3的視力,，為盲人復(fù)明提供了突破性解決方案,。該技術(shù)突破了傳統(tǒng)植入設(shè)備的體積限制，芯片整體厚度＜200μm,，兼容微創(chuàng)植入手術(shù),，推動(dòng)神經(jīng)調(diào)控技術(shù)向精細(xì)化、長(zhǎng)期化發(fā)展,。浙江MEMS微納米加工誠(chéng)信合作MEMS聲表面波（即SAW）器件是什么,？

超薄石英玻璃雙面套刻加工技術(shù)解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進(jìn)行雙面套刻加工，是實(shí)現(xiàn)高集成度微流控芯片與光學(xué)器件的關(guān)鍵技術(shù),。公司采用激光微加工與紫外光刻結(jié)合工藝,，首先通過(guò)CO?激光切割實(shí)現(xiàn)玻璃基板的高精度成型（邊緣誤差＜±5μm），然后利用雙面光刻對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（精度±1μm）進(jìn)行微結(jié)構(gòu)加工,。正面通過(guò)干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道,，背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層，經(jīng)光刻剝離形成微米級(jí)電極陣列,。針對(duì)玻璃材質(zhì)的脆性特點(diǎn),，開(kāi)發(fā)了低溫鍵合技術(shù)（150-200℃），使用硅基粘合劑實(shí)現(xiàn)雙面結(jié)構(gòu)的密封,，鍵合強(qiáng)度＞3MPa,，耐水壓＞50kPa,。該技術(shù)應(yīng)用于光聲成像芯片時(shí)，正面微流道實(shí)現(xiàn)樣本輸送,，背面電極陣列同步激發(fā)光聲信號(hào),，光-電信號(hào)延遲＜10ns，成像分辨率達(dá)50μm,。此外,，超薄玻璃的高透光性（＞95%@400-1000nm）與化學(xué)穩(wěn)定性，使其成為熒光檢測(cè),、拉曼光譜分析等**芯片的優(yōu)先基板,，公司已實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓級(jí)批量加工，成品率＞90%,，為光學(xué)微系統(tǒng)集成提供了可靠的制造平臺(tái),。

三維微納結(jié)構(gòu)的跨尺度加工技術(shù)：跨尺度加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從納米級(jí)到毫米級(jí)結(jié)構(gòu)的一體化制造，滿(mǎn)足復(fù)雜微流控系統(tǒng)對(duì)多尺度功能單元的需求,。公司結(jié)合電子束光刻（EBL,，分辨率10nm）,、紫外光刻（分辨率1μm）與機(jī)械加工（精度10μm）,，在單一基板上構(gòu)建跨3個(gè)數(shù)量級(jí)的微結(jié)構(gòu)。例如,，在類(lèi)***培養(yǎng)芯片中,，納米級(jí)表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進(jìn)細(xì)胞黏附，微米級(jí)流道（寬度50μm）控制營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)輸送,，毫米級(jí)進(jìn)樣口（直徑1mm）兼容外部管路,。加工過(guò)程中，通過(guò)工藝分層設(shè)計(jì),，先進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)制備（如EBL定義細(xì)胞外基質(zhì)蛋白圖案）,，再通過(guò)紫外光刻形成中層流道，***機(jī)械加工完成宏觀接口,，各層結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)誤差＜±2μm,。該技術(shù)突破了單一工藝的尺度限制，實(shí)現(xiàn)了功能的跨尺度集成,，在芯片實(shí)驗(yàn)室（Lab-on-a-Chip）中具有重要應(yīng)用,。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門(mén)的復(fù)合芯片,，用于單分子電信號(hào)檢測(cè),，信號(hào)分辨率提升至10fA，為納米生物技術(shù)與微流控工程的交叉融合提供了關(guān)鍵制造能力,。MEMS的柔性電極是什么,？

物聯(lián)網(wǎng)普及極大拓展MEMS應(yīng)用場(chǎng)景,。物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)架構(gòu)可以分為四層：感知層、傳輸層,、平臺(tái)層和應(yīng)用層,，MEMS器件是物聯(lián)網(wǎng)感知層重要組成部分。物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展帶動(dòng)智能終端設(shè)備普及,，推動(dòng)MEMS需求放量,，據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)GSMA統(tǒng)計(jì)，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量已從2010年的20億臺(tái),，增長(zhǎng)到2019年的120億臺(tái),，未來(lái)受益于5G商用化和WiFi 6的發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力巨大,，GSMA預(yù)測(cè),，到2025年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將達(dá)到246億臺(tái)，2019到2025年將保持12.7%的復(fù)合增長(zhǎng)率,。金屬流道 PDMS 芯片與 PET 基板鍵合,，實(shí)現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的高效集成。山東MEMS微納米加工之聲表面波器件加工

MEMS 微納米加工的成本效益隨著技術(shù)的成熟逐漸提高,，為其大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ),。山東MEMS微納米加工常見(jiàn)問(wèn)題

智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮，傳感器及RFMEMS用量逐年提升,。一方面,，5G加速滲透，拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng)：今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%,；智能手機(jī)整體出貨量方面,，在5G的帶動(dòng)下，根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè),，2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11.6%,，2020-2024年CAGR達(dá)5.2%。另一方面,，單機(jī)傳感器和RFMEMS用量不斷提升,，以iPhone為例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12,，手機(jī)智能化程度不斷升,，功能不斷豐富，指紋識(shí)別,、3Dtouch,、ToF、麥克風(fēng)組合,、深度感知（LiDAR）等功能的加入,，使得傳感器數(shù)量（包含非MEMS傳感器）由當(dāng)初的5個(gè)增加為原來(lái)的4倍至20個(gè)以上,；5G升級(jí)帶來(lái)的頻段增加也有望明顯提升單機(jī)RF MEMS價(jià)值量。山東MEMS微納米加工常見(jiàn)問(wèn)題