6.信號(hào)及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號(hào)切換情況下,，其電源的容差性,。當(dāng)未符合此容差要求時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致很多的問(wèn)題,，比如加大時(shí)鐘抖動(dòng),、數(shù)據(jù)抖動(dòng)和串?dāng)_。這里,，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論,，現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開(kāi)始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里,，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響,，另一個(gè)重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里,，去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗（Ztarget）,。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容,，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用,。頻率在100KHz以下,，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的,，則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦,。DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試；海南DDR測(cè)試代理商

DDR測(cè)試

DDR的信號(hào)仿真驗(yàn)證由于DDR芯片都是采用BGA封裝,，密度很高,，且分叉、反射非常嚴(yán)重,，因此前期的仿真是非常必要的,。是借助仿真軟件中專(zhuān)門(mén)針對(duì)DDR的仿真模型庫(kù)仿真出的通道損耗以及信號(hào)波形。仿真出信號(hào)波形以后,，許多用戶需要快速驗(yàn)證仿真出來(lái)的波形是否符合DDR相關(guān)規(guī)范要求,。這時(shí)，可以把軟件仿真出的DDR的時(shí)域波形導(dǎo)入到示波器中的DDR測(cè)試軟件中,并生成相應(yīng)的一致性測(cè)試報(bào)告,，這樣可以保證仿真和測(cè)試分析方法的一致,，并且便于在仿真階段就發(fā)現(xiàn)可能的信號(hào)違規(guī)。 HDMI測(cè)試DDR測(cè)試檢修D(zhuǎn)DR的規(guī)范要求進(jìn)行需求,；

DDR5發(fā)送端測(cè)試隨著信號(hào)速率的提升,，SerDes技術(shù)開(kāi)始在DDR5中采用，如會(huì)采用DFE均衡器改善接收誤碼率,，另外DDR總線在發(fā)展過(guò)程中引入訓(xùn)練機(jī)制,，不再是簡(jiǎn)單的要求信號(hào)間的建立保持時(shí)間,，在DDR4的時(shí)始使用眼圖的概念，在DDR5時(shí)代,，引入抖動(dòng)成分概念,，從成因上區(qū)分解Rj，Dj等,，對(duì)芯片或系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更具體的依據(jù),；在抖動(dòng)的參數(shù)分析上，也增加了一些新的抖動(dòng)定義參數(shù),，并有嚴(yán)苛的測(cè)量指標(biāo),。針對(duì)這些要求，提供了完整的解決方案,。UXR示波器,，配合D9050DDRC發(fā)射機(jī)一致性軟件，及高阻RC探頭MX0023A,，及Interposer,，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR信號(hào)的精確表征。

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除了DDR以外,，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展,，由DDR技術(shù)演變過(guò)來(lái)的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景,，相對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來(lái)說(shuō)會(huì)采用更低的工作電壓,，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些,，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù),，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V,。但是要注意的是,，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪聲會(huì)更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大,。除了降低工作電壓以外,，LPDDR還會(huì)采用一些額外的技術(shù)來(lái)節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新),、部分陣列可以自刷新,，以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí),，LPDDR的芯片一般體積更小,，因此占用的PCB空間更小。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立,；

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制定DDR內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)按照J(rèn)EDEC組織的定義,，DDR4的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng)達(dá)到了3200MT/s以上,，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之前,，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn),。但是從LPDDR4開(kāi)始，由于高性能移動(dòng)終端的發(fā)展,，LPDDR4的速率開(kāi)始趕超DDR4,。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開(kāi)始使用,。DDR5的規(guī)范(JESD79-5)于2020年發(fā)布,，并在2021年開(kāi)始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商 DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析；HDMI測(cè)試DDR測(cè)試檢修

DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析,；海南DDR測(cè)試代理商

trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線,。顯然,，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,，依來(lái)看它需要更多的空間,。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因，所以,，在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),，要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,，從而控制走線的時(shí)延匹配,。考慮到在圖2中6層板上的過(guò)孔的因素,，當(dāng)一個(gè)地過(guò)孔靠近信號(hào)過(guò)孔放置時(shí),，則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,，在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils,，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils,，且過(guò)孔的參數(shù)為：barreldiameter=”8mils”,，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”,。海南DDR測(cè)試代理商