如果能夠減少該晶圓層120的電阻值,，就可以減少圖1與圖2的電流路徑的總電阻值。此種改進(jìn)能減少消耗功率,，降低熱耗損,，增進(jìn)芯片的使用壽命。想要減低該晶圓層120的電阻值,，可以減少該晶圓層120的厚度,。但如前所述，如何在減少該晶圓層120的厚度之后,，還能維持相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)強(qiáng)度,，以便抗拒應(yīng)力與/或熱應(yīng)力造成的損害,。本申請?zhí)岢龅慕鉀Q方案之一,，是至少在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層，但是降低在芯片中間有半導(dǎo)體元器件之處的晶圓厚度,。如此一來,，可以在降低該晶圓層120的電阻值的同時(shí),，可以維持相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)強(qiáng)度。請參考圖3所示,，其為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)300的一剖面示意圖,。該結(jié)構(gòu)300依序包含一半導(dǎo)體組件層130、一晶圓層320與一金屬層310,。該晶圓層320夾在該金屬層310與半導(dǎo)體組件層130之間,。該半導(dǎo)體組件層130已經(jīng)于圖1與圖2的說明中提到過，可以包含一或多個半導(dǎo)體組件,。這些半導(dǎo)體組件可以包含垂直型的晶體管,，特別是金氧半導(dǎo)體場效晶體管。在一實(shí)施例當(dāng)中,，該半導(dǎo)體組件層130的厚度可以是介于2-4um之間,。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，該半導(dǎo)體組件層130可以包含一或多個半導(dǎo)體組件,，本申請并不限定該半導(dǎo)體組件層130的厚度,、層數(shù)與其他的參數(shù)。半導(dǎo)體級4-12inc晶圓片,。上海半導(dǎo)體晶圓承諾守信

    通過通信電纜25088發(fā)送比較結(jié)果到主機(jī)25080,。如果聲波發(fā)生器25082的輸出值與主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值不同，則檢測電路25086將發(fā)送報(bào)警信號到主機(jī)25080,。主機(jī)25080接收到報(bào)警信號后關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)的損傷,。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090,、整形電路26092,、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098,。主控制器26094可以用fpga實(shí)現(xiàn),。通信電路26096作為主機(jī)25080的接口。通信電路26096與主機(jī)25080實(shí)現(xiàn)rs232/rs485串行通信來從主機(jī)25080讀取參數(shù)設(shè)置,，并將比較結(jié)果返回主機(jī)25080,。電源電路26098將直流15v轉(zhuǎn)換成直流、直流,。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的檢測電路25086的框圖,。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、振幅檢測電路27092,、主控制器26094,、通信電路26096及電源電路26098。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的電壓衰減電路的示例。當(dāng)聲波發(fā)生器25082輸出的聲波信號***被讀取時(shí),，該聲波信號具有相對較高的振幅值,，如圖28b所示。電壓衰減電路26090被設(shè)計(jì)成使用兩個運(yùn)算放大器28102和28104來減小波形的振幅值,。西安半導(dǎo)體晶圓價(jià)格走勢西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    檢測電路檢測超聲波或兆聲波電源輸出的每個波形的振幅,，將檢測到的每個波形的振幅與預(yù)設(shè)值相比較，如果檢測到任一波形的振幅比預(yù)設(shè)值大,，檢測電路發(fā)送報(bào)警信號到主機(jī),，主機(jī)接收到報(bào)警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源，其中預(yù)設(shè)值大于正常工作時(shí)的波形振幅,。在一個實(shí)施例中,，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板,。本發(fā)明還提供了一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置,，包括晶圓盒、清洗槽,、超聲波或兆聲波裝置,、至少一個入口、超聲波或兆聲波電源,、主機(jī)和檢測電路,。晶圓盒裝有至少一片半導(dǎo)體基板。清洗槽容納晶圓盒,。超聲波或兆聲波裝置設(shè)置在清洗槽的外壁,。至少一個入口用來向清洗槽內(nèi)注滿化學(xué)液，化學(xué)液浸沒半導(dǎo)體基板,。主機(jī)設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1,、功率p1驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前,，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零,，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1,、功率p1,。檢測電路分別檢測頻率為f1，功率為p1時(shí)的通電時(shí)間和斷電時(shí)間,，比較在頻率為f1,。

    其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實(shí)施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍,。在一實(shí)施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍,。在一實(shí)施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。在一實(shí)施例中,，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本,，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域,，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中,。在一實(shí)施例中，為了設(shè)計(jì)與制作的方便,，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積,。根據(jù)本申請的一實(shí)施例,，提供一種半導(dǎo)體晶圓,，其特征在于,，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一***芯片區(qū)域,，該***芯片區(qū)域包含如所述的半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu),。在一實(shí)施例中,。半導(dǎo)體晶圓信息匯總。

    f1為超聲波或兆聲波的頻率,。根據(jù)公式(10)和(11)，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時(shí)間τi可以被計(jì)算出來,。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni,、內(nèi)爆時(shí)間τi和(δt–δt)的關(guān)系，假設(shè)ti＝3000℃,，δt＝℃，t0＝20℃,，f1＝500khz,，f1＝1mhz,，及f1＝2mhz,。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發(fā)生微噴射且工藝參數(shù)符合公式(1)-(11),。參考圖6a所示,，電功率(p)連續(xù)供應(yīng)至聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩,。隨著氣穴振蕩的周期數(shù)n增加,，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加,，因此氣泡表面更多的分子會被蒸發(fā)至氣泡6082內(nèi)部,，導(dǎo)致氣泡6082的尺寸隨著時(shí)間的推移而增加,，如圖6c所示,。**終，在壓縮過程中氣泡6082內(nèi)部的溫度將達(dá)到內(nèi)爆溫度ti(通常ti高達(dá)幾千攝氏度),，猛烈的微噴射6080發(fā)生,，如圖6c所示,。因此,，為了避免在清洗期間損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)，必須保持穩(wěn)定的氣穴振蕩,，避免氣泡內(nèi)爆和發(fā)生微噴射,。圖7a至圖7e揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖7a揭示了間歇供給聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩的電源輸出的波形,。圖7b揭示了對應(yīng)每個氣穴振蕩周期的溫度曲線,。圖7c揭示了在每個氣穴振蕩周期期間,，氣泡的尺寸在τ1時(shí)間段內(nèi)增加及在τ2時(shí)間段內(nèi)電源切斷后氣泡尺寸減小,。半導(dǎo)體晶圓銷售廠家,、。上海半導(dǎo)體晶圓承諾守信

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    使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。進(jìn)一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該蝕刻步驟進(jìn)行一部份后,，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。進(jìn)一步的,，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片,，其中該多個芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域,，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同,。進(jìn)一步的,，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作,，其中該多個芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同,。進(jìn)一步的,，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該金屬層具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面,，該第三表面完全貼合于該第二表面，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域,，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中,。進(jìn)一步的,，為了設(shè)計(jì)與制作的方便,，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積,?？偵纤?。上海半導(dǎo)體晶圓承諾守信

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司一直專注于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,；半導(dǎo)體設(shè)備,、半導(dǎo)體材料,、電子設(shè)備,、機(jī)械設(shè)備及配件,、機(jī)電設(shè)備,、太陽能光伏設(shè)備,、太陽能電池及組件,、電子產(chǎn)品,、電子材料,、針紡織品,、玻璃制品、五金制品,、日用百貨、勞保用品,、化工產(chǎn)品及原料（不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品）的銷售,；貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù),。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動） 許可項(xiàng)目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動,，具體經(jīng)營項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)） 一般項(xiàng)目：固體廢物治理,；非金屬廢料和碎屑加工處理,；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）,；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）,，是一家能源的企業(yè),，擁有自己**的技術(shù)體系,。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競爭力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新,，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營,。公司以誠信為本，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋晶圓,，wafer,，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒,，我們本著對客戶負(fù)責(zé),，對員工負(fù)責(zé)，更是對公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,，爭取做到讓每位客戶滿意,。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度,、扎實(shí)的工作作風(fēng),、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的晶圓,，wafer,，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒形象,，贏得了社會各界的信任和認(rèn)可,。