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可控硅電源較高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進程的飛速發(fā)展,感應加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于另一方面環(huán)保要求以及煤炭漲價,用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價格和經(jīng)濟上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.功率因數(shù)低耗費著大量的電能.隨著金融危機的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經(jīng)驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,?？煽毓璺娇申P(guān)斷,。當然,，如果Ea極性反接。江寧區(qū)哪里可控硅電源另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在...

這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的,，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導通后,，通態(tài)電流仍...

按一機部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。普通可控硅的型號采用如下格式標注:圖片1額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個,，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,，1000V以上的管子每200V為一級,。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,，用宇毋表示，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。特...

可控硅電源采用的串聯(lián)諧振,，即電壓型諧振頻率跟蹤。因此效率較高,、功率因數(shù)較高,。所以有明顯的節(jié)電效果，加熱每噸棒料用電341度,。中文名可控硅電源類 型電源可控硅電源前級不可控全橋整流,，不會在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象,，并且用大電容濾波,，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小?？煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進程的飛速發(fā)展,感應加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價,用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價格和經(jīng)濟上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理。定制可控硅電源特點按一機...

中頻感應加熱電源特點：1.生產(chǎn)操作簡單,、進出料靈活,、自動化程度高，可實現(xiàn)在線式生產(chǎn),；2.工件加熱速度快,、氧化脫碳少，效率高，鍛件質(zhì)量好,；3.工件加熱長度,、速度、溫度等可精確控制,；4.工件加熱均勻,、芯表溫差小，控制精度高,；5.感應器可按客戶要求精心制作,。6.***節(jié)能優(yōu)化設計，能耗低,、效率高,，比燒煤生產(chǎn)成本低；7.符合環(huán)保要求,，污染小,，同時還減少了工人的勞動強度?？s減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經(jīng)驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,。金山區(qū)貿(mào)易可控硅電源電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大...

控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導通后，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知,，這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。六合區(qū)多層可控硅電源我們把這種...

分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,。,。。,。,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導通,。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程。長寧區(qū)多層可控硅電源雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩...

也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié),，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T,，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,。可控硅方可關(guān)斷。當然,，如果Ea極性反接,。靜安區(qū)制作可控硅電源這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)...

這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的,，又因為觸發(fā)信號是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流仍...

陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。。（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。安徽智能化可控硅電源可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多,?？煽毓栌腥齻€...

陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。楊浦區(qū)新型可控硅電源結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié)，分析原理時,，可以把它...

由圖可見,，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的,。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示,。當這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通，這時的通態(tài)電流為I21,，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到，觸發(fā)電流越大,，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導通規(guī)律是一致的， 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,，叫做反向電壓,，并用符號U12表示,。當這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時，圖3（b）觸發(fā)導通,，這時的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線,，如圖4中第三象限所示...

這個實驗告訴我們,，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓,。晶閘管導通后，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導通狀態(tài)。晶閘管特點“一觸即發(fā)”,。但是,，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通,?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關(guān)斷,。那么,，用什么方法才能使導通的晶閘管關(guān)斷呢?使導通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導通的最小值（稱為維持電流）,。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,，那么，在電壓過零時,，晶閘管會自行關(guān)斷,。又在控制極G和陰極C之間（...

沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波,，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小,。可控硅電源較高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進程的飛速發(fā)展,感應加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價,用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價格和經(jīng)濟上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.功率因數(shù)低耗費著大量的電能.隨著金融危機的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經(jīng)驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,?？梢杂脛偛叛菔居玫氖窘贪咫娐贰Ｉ轿鞫ㄖ瓶煽毓桦娫措妷簻y方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表...

并且用大電容濾波,，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小?？煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進程的飛速發(fā)展,感應加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價,用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價格和經(jīng)濟上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.功率因數(shù)低耗費著大量的電能.隨著金融危機的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經(jīng)驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。中頻感應加熱電源特點：1.生產(chǎn)操作簡單,、進出料靈活、自動化程度高,，可實現(xiàn)在線式生產(chǎn),；2.工件加熱速度快、氧化脫碳少,，效率高,，鍛件質(zhì)量好...

也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的,，有三個PN結(jié),，對外有三個電極〔圖2（P型半導體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T,，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。貿(mào)易可控硅電源廠家現(xiàn)貨中頻感應加熱電源特點：1.生產(chǎn)操作簡單、進出料靈活,、自動化...

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,，如果超過此功率,，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低,，此時,，標稱電流應降級使用?？煽毓璧膬?yōu)點很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快,，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點運行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導通,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通,。靜安區(qū)什么是可控硅電源（四）按電流容量分類：可控...

電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等此時觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導通狀態(tài)只...

目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.功率因數(shù)低耗費著大量的電能.隨著金融危機的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經(jīng)驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。中頻感應加熱電源特點：1.生產(chǎn)操作簡單、進出料靈活,、自動化程度高,，可實現(xiàn)在線式生產(chǎn)；2.工件加熱速度快,、氧化脫碳少,，效率高，鍛件質(zhì)量好,；3.工件加熱長度,、速度、溫度等可精確控制,；4.工件加熱均勻,、芯表溫差小，控制精度高,；足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失,。江寧區(qū)哪里可控硅電源陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻...

電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。流小于維持導通的最小值時...

普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導通的時間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,。江西貿(mào)易可控硅電源可控硅電源較...

這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號，雙向可控硅導通后,，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d)，雙向可控硅導通后,，通態(tài)電流仍...

這樣,，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐撦d上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流,。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等。所以,，按照測試二極管的方法,，找出三個極中的兩個極。河北進口可控硅電源電流⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作...

結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié),，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流,，具有無火花、動作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極可控硅方可關(guān)斷。當然,，如果Ea極性反接,。湖南進口可控硅電源常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電...

這個實驗告訴我們,，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓,。晶閘管導通后，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導通狀態(tài)。晶閘管特點“一觸即發(fā)”,。但是,，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通,?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關(guān)斷,。那么,，用什么方法才能使導通的晶閘管關(guān)斷呢?使導通的晶閘管關(guān)斷,，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導通的最小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,，那么,，在電壓過零時，晶閘管會自行關(guān)斷,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮?..

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流,，具有無火花,、動作快、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。導通的時間主要決定于可控硅的性能,?；窗残滦涂煽毓桦娫催@個實驗告訴我們，要使晶閘管導通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極...

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T,，又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR,。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài),?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備，如果超過此功率,，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低，此時,，標稱電流應降級使用,。可控硅的優(yōu)點很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快,，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點運行,，無火...

在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導通的時間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值U...

反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。第三層為兩管交迭共用,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,。青浦區(qū)可...