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直流機車牽引變流器采用晶閘管模塊進行相控整流,，例如和諧型電力機車使用3.3kV/1.5kA模塊,，將25kV接觸網(wǎng)電壓降至1500V直流。再生制動時，晶閘管逆變器將動能回饋電網(wǎng),，效率超90%?，F(xiàn)代動車組應(yīng)用IGCT模塊（如龐巴迪的MITRAC系統(tǒng)）,，開關(guān)頻率1kHz,，牽引電機諧波損耗減少40%。磁懸浮列車中,，晶閘管模塊控制直線電機供電（20kV/2kA脈沖）,，加速響應(yīng)時間<5ms。模塊需通過EN 50155鐵路標準認證,，耐受50g沖擊振動和-40℃低溫啟動,。光控晶閘管（LTT）模塊通過光纖傳輸觸發(fā)信號，徹底解決電磁干擾問題,，尤其適用于核聚變裝置和粒子加速器,。歐洲JET托卡馬克裝置使用LTT模塊（...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)ǎ圆捎每煽毓栌袉坞p向關(guān)系之分,。電子生產(chǎn)中常用的SCR,，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,，又分為四象三端雙向可控硅,、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型,、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種,、高壓品種,。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨的學(xué)科,。“晶閘管交流技術(shù)”,?？煽毓璋l(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好,，收率有了很大的提高,，并向高壓大電...

中國晶閘管模塊市場長期依賴進口（歐美日品牌占比70%），但中車時代,、西安派瑞等企業(yè)正加速突破,。中車8英寸高壓晶閘管（6.5kV/4kA）良率達90%，用于白鶴灘水電站±800kV換流閥,。2023年國產(chǎn)化率提升至25%,，預(yù)計2028年將達50%。技術(shù)趨勢包括：1）碳化硅晶閘管實用化（耐壓15kV/2kA）,；2）混合封裝（晶閘管+SiC MOSFET）提升開關(guān)速度,；3）3D打印散熱器（微通道結(jié)構(gòu)）降低熱阻30%。全球市場規(guī)模2023年為18億美元,，新能源與軌道交通推動CAGR達6.5%,，2030年將突破28億美元。晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,。新疆晶閘管模塊咨詢報價晶閘管模塊[1]...

若用于交直流電壓控制,、可控整流、交流調(diào)壓,、逆變電源,、開關(guān)電源保護電路等，可選用普通單向晶閘管,。若用于交流開關(guān),、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速,、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器,、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管,。若用于交流電動機變頻調(diào)速,、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等,，可選用門極關(guān)斷晶閘管,。若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器,、過電壓保護器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,，可選用BTG晶閘管。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器,、超聲波電路,、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)晶閘管,。若用于光電耦合器,、光探測器、光報警器,、光計數(shù)器,、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管,。2．選擇晶閘管的主要參...

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形,。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點劃線波形）,。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%），這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t,。陽極電流從10%...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。從圖3，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）...

5,、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時,，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,，可在模塊輸出端接一固定電阻,，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定）。（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,，極易掀起折斷,，接線時應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱,。（4）模塊不能當作隔離開關(guān)使用。為保證安全,，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān),。（5）測量模塊工作殼溫時，測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面,?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)ǎ圆捎每煽毓栌袉坞p向關(guān)系之分,。電子生產(chǎn)中常用的SCR,，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,，又分為四象三端雙向可控硅,、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型,、高靈敏度型,、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種,?？煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好,、壽命長,、體積小、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”,。可控硅發(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，質(zhì)量更好，收率有了很大的提高,，并向高壓大電...

且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍,。感性負載:模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍,。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓)輸出較大電流,，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值,，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍,。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作,。3,、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源(即變壓器整...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分,。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100,，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝,、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型,、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種,、高壓品種,。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨的學(xué)科,。“晶閘管交流技術(shù)”,?？煽毓璋l(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，質(zhì)量更好,，收率有了很大的提高，并向高壓大電...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極,，陰極和控制極,；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us,。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低,，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺,，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用,，要關(guān)斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性,，必須...

具有單向?qū)щ娞匦裕枠OA與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié),。因此,，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極,。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極,，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中,，紅表筆接的是陰極K,，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A,，若兩次測出的阻值均很大,，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個電極為止,。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,，若正,、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管,。其主要特點是,，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,，是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）,，結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以...

采用電子線路進行保護等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間。吸收進行電路設(shè)計好方法選用無感電容,，接線應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的，有時對時間短,、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時候,，額定電壓一個應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平...

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,，不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低。目前,，GTO已達到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO...

當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,，是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）,，結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路,。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,，只...

當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管,。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射,，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）,，結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負向電壓時,，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,，只...

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施,，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有以下幾個特點,。一、關(guān)斷時間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管,，當切斷正向電流時,。并不能馬上“關(guān)斷”，這時如立即加上正向電壓,，它還會繼續(xù)導(dǎo)通,。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間，叫做關(guān)斷時間,。用t0仟表示,。晶閘管的關(guān)斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程,。為了加速這種消失過程,，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命,。硅中摻金量越多,，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能,。二,、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸窃诳拷?..

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施,，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有以下幾個特點,。一,、關(guān)斷時間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當切斷正向電流時,。并不能馬上“關(guān)斷”,，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導(dǎo)通,。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間,，叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示,。晶閘管的關(guān)斷過程,，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多,，t0仟越小,，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二,、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管,。總是在靠近控...

這對晶閘管是非常危險的,。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如，交流以及開關(guān)的開閉,、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路,、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高,，在空載情況下可以斷開回路設(shè)計將會有更高的過電壓,。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大，就會產(chǎn)生較大的過電壓,。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負荷,、導(dǎo)通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時，引起電流突變,。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓,。換相過電壓是由...

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間,。吸收進行電路設(shè)計好方法選用無感電容,，接線應(yīng)盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,，有時對時間短,、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時,，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓,。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候,，額定電壓一個應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍,，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高,，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,，能維持導(dǎo)通所需的**小電流,。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍,。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流,。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫,、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率,。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下,，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大,，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個20°寬脈沖列,、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動態(tài)響應(yīng)時間≤10ms，超調(diào)量≤1%,。⒁有回零保護,、軟起動、急停功能,。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜,。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨有三相不平衡自動調(diào)整功能，有效提高電能利用效率,?！粝冗M的數(shù)字控制技術(shù)，改善了電網(wǎng)功率因數(shù),，可以有效節(jié)省用電量,。◆具有移相觸發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式,，撥動選擇開關(guān),，即可輕松實現(xiàn)轉(zhuǎn)換?！舳喾N控制信號輸入：DC4~20mA,、DC0~10mA、DC1~5V,、DC0~10V、開關(guān)...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時候可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如上圖所當陽極A...

美國通用電氣公司研發(fā)了世界上***個以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）,。由于它們具有體積小,、重量輕、效率高,、壽命長的優(yōu)勢,，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進入了強電控制領(lǐng)域,、大功率控制領(lǐng)域,。在整流器的應(yīng)用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管）,，實現(xiàn)整流器的固體化,、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開始,，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管,、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管,，形成一個龐大的晶閘管家族。晶閘管在應(yīng)用中有效率高,、控制特...

采用電子線路進行保護等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間,。吸收進行電路設(shè)計好方法選用無感電容,，接線應(yīng)盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,，有時對時間短,、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆...

做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有關(guān)斷時間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）,、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）,、抗干擾能力較好等特點?？焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進展很快,。目前，已有了電流幾百安培,、耐壓1千余伏,，關(guān)斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了比較高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件,。其產(chǎn)品廣應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源,、激光電源,、雷達調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域。3．逆導(dǎo)晶閘管以往的為了便于調(diào)速采用直流供電,，用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑...