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通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控...

（2）限幅電路在電子電路中,，常用限幅電路對各種信號進行處理,。它是用來讓信號在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號,。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用,，但有些時候需要用到**限幅二極管，如保護儀表時,。 [6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管,，它是一...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流,，具有無火花,、動作快、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，...

（4）變?nèi)蓦娐吩谧內(nèi)蓦娐分谐Ｓ米內(nèi)荻O管來實現(xiàn)電路的自動頻率控制,、調(diào)諧、調(diào)頻以及掃描振蕩等,。 [6]工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)過多年來科學(xué)家們不懈努力,，半導(dǎo)體二極管發(fā)光的應(yīng)用已逐步得到推廣，發(fā)光二極管廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的指示燈,、光纖通信用光源,、各種儀表的指示器以及照明...

快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護,。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低,。只能在極短時間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力,?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同,，它是以...

將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時萬用表的指針指在無窮處,。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置,。然后再用手指...

發(fā)光二極管,，簡稱為LED，是一種常用的發(fā)光器件,，通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光,，它在照明領(lǐng)域應(yīng)用***。 [1]發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能,，在現(xiàn)代社會具有***的用途,，如照明、平板顯示,、醫(yī)療器件等,。 [2]這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低...

二極管的電路符號如圖1所示,。二極管有兩個電極,，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極,；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極,，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示,。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個...

2023年5月，新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開發(fā)了世界上**小的LED（發(fā)光二極管）,。2024年2月5日,，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所團隊深挖機理、創(chuàng)新工藝,，制備出一款高效穩(wěn)定的鈣鈦礦發(fā)光二極管,，相關(guān)論文發(fā)于國際學(xué)術(shù)期刊《自然·光子學(xué)》。 ...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍,。 同時,， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個PN結(jié),，和普通二極管相比,，在結(jié)構(gòu)上不同的是，為了便于接受入射光照,，PN結(jié)面積盡量做的大一些,，電極面積盡量小些，而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,，一般小于1微米,。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

路器一般由觸頭系統(tǒng),、滅弧系統(tǒng),、操作機構(gòu)、脫扣器,、外殼等構(gòu)成,。當(dāng)短路時，大電流（一般10至12倍）產(chǎn)生的磁場克服反力彈簧,，脫扣器拉動操作機構(gòu)動作,，開關(guān)瞬時跳閘。當(dāng)過載時,，電流變大,，發(fā)熱量加劇，雙金屬片變形到一定程度推動機構(gòu)動作（電流越大,，動作時間越短）,。有電子型...

因此,，在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū),，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性,，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散,，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞,。 [6]PN...

畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中，常把交流電的半...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況,。在高摻雜濃度的情況下,，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時,，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu),，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對,，致使電流急劇增大,，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

高傳導(dǎo)點接觸型二極管它與高反向電阻型相反,。其反向特性盡管很差,，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導(dǎo)點接觸型二極管而言,，有SD56,、1N56A等等。對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言,，能夠得到更優(yōu)良的特性,。這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下,，整流效率較高,。 在開關(guān)電源中,所需...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF...

熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對于容量小的電動機和照明支線,，常采用熔斷器作為過載及短路保護,，因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器,。對于較大容量的電動機和照明干線,，則應(yīng)著重考慮短路保護和分?jǐn)嗄芰ΑＭǔ?..

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。具體地來說,，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同...

（三）環(huán)保LED燈內(nèi)部不含有任何的汞等重金屬材料,，但是熒光燈中含有，這就體現(xiàn)了LED燈環(huán)保的特點?，F(xiàn)在的人都十分重視環(huán)保,，所以，會有更多的人愿意選擇環(huán)保的LED燈,。 [3]（四）響應(yīng)速度快LED燈還有一個突出的特點,，就是反應(yīng)的速度比較快。只要一接通電源,，LED...

為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施,。具體地來說，p+n-p的電流放大系數(shù)α設(shè)計為0.5以下,。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流（直流）的3倍以上,。IGBT的驅(qū)動原理與電力MOSFET基本相同...

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極,。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳,，通常長引腳為正極，短引腳為負(fù)極,。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀,，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見,，內(nèi)部電極較寬較大的一個為負(fù)極，而較窄且小的一個為正極,。 [8]2. 先測量紅個發(fā)光二極管的正,、反向...

當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服,，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變,，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ,，內(nèi)電場很快被削弱,，特性電流迅速增長，...

它們在反向電壓作用下參加漂移運動,，使反向電流明顯變大,，光的強度越大，反向電流也越大,。這種特性稱為“光電導(dǎo)”,。光敏二極管在一般照度的光線照射下，所產(chǎn)生的電流叫光電流,。如果在外電路上接上負(fù)載,，負(fù)載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應(yīng)變化,。光敏二極管是...

當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強烈的正...

?IGBT驅(qū)動電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機,、變頻...

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生,。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時,，必須基于以下的參數(shù)來進行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求,、耐固性要求和電源的情況,。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,，故可使用MOSFET...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。常用可控硅的封...

（1）短路故障或過載運行而正常熔斷,；（2）熔體使用時間過久,，熔體因受氧化或運行中溫度高，使熔體特性變化而誤斷,；（3）熔體安裝時有機械損傷,，使其截面積變小而在運行中引起誤斷。2,、拆換熔體時,，要求做到：（1）安裝新熔體前，要找出熔體熔斷原因,，未確定熔斷原因,，不要拆...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。...