主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,,NEC,,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,,LITTELFUSE/TECCOR,,TOSHIBA,JX ,,SANREX,,SANKEN ,SEMIKRON ,,EUPEC,,IR,JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重...
應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線,。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的,。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,,并用符號U21表示,。當這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通,,這時的通態(tài)電流為I21,,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,,觸發(fā)電流越大,,轉(zhuǎn)折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導通規(guī)律是一致的,, 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,,叫做反向電壓,并用符號U12表示。當這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時,,圖3(b)觸發(fā)導通,,這時的電流為I12,其方向是...
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結(jié)的四層結(jié)構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,??煽毓韬推渌雽w器件一樣,具有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點,。崇明區(qū)特點可控硅圖片晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門極G和陰極...
應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,,雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,,我們稱為正向電壓,,并用符號U21表示,。當這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,,圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通,這時的通態(tài)電流為I21,,方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,觸發(fā)電流越大,,轉(zhuǎn)折電壓就越低,,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導通規(guī)律是一致的,, 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,,并用符號U12表示,。當這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時,圖3(b)觸發(fā)導通,,這時的電流為I12,,其方向是...
可控硅有多種分類方法。(一)按關斷,、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導可控硅,、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,,金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可...
晶閘管特性單向晶聞管的結(jié)構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,,大家先看這塊示教板(圖3),。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極,,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,,若采用KP5型,,應接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,,也就是說,,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關S,小燈泡不亮,,說明晶閘管沒有導通,;再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發(fā)電壓,,小燈泡亮了,,說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?反向阻斷峰值電壓VPR 當可...
控 制:Controlled(取***個字母)整流器:Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,,如:BCR1AM-12、BCR8KM,、BCR08AM等等,。雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名,,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來命名雙向可控硅,。大,;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。徐匯區(qū)本地可控硅服...
耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓,。 選用時,額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,,作為允許的操作過電壓裕量,。 [1]·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時,, 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM,。塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。寶山區(qū)通用可控硅現(xiàn)...
若測得元件陰陽極正反向已短路,,或陽極與控制極短路,,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,,說明元件已損壞,。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構的大功率半導體器件,。實際上,,可控硅的功用不僅是整流,,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,,等等,。可控硅和其它半導體器件一樣,,其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,,成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件??煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種,螺旋式的...
四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B,、BTB16-600B、BTB41-600B等等,;ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號***一個字母)帶“W”的,,均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”,、“CW”,、“SW”、“TW”,;**型號如:BTB12-600BW,、BTA26-700CW、BTA08-600SW等,。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,,各個廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,,C=15mA,,F(xiàn)=25mA,,G=50mA,R=200uA或5mA,,型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流,,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定...
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉(zhuǎn)為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓,。(3)可控硅導通后,,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,,2.門極伏安特性區(qū),。(5)應在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態(tài)電流(IT)即比較大穩(wěn)定工作電流,,俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM),,俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通。崇明區(qū)制造可控硅設...
可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,,由于循環(huán)反饋的原因,,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,,足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失,,可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,,可控硅方可關斷,。當然,如果Ea極性反接,,BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時,,即使輸入觸發(fā)信號,,可控硅也不能工作。反過來,,Ea接成正向,,而觸動發(fā)信號是負的,,可控硅也不能導通。另外,,如果不加觸發(fā)信號,,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,,但已屬于非正常工作情況了...
控 制:Controlled(取***個字母)整流器:Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,,如:BCR1AM-12,、BCR8KM、BCR08AM等等,。雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,,也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,,均以此來命名雙向可控硅。雙向可控硅在結(jié)構上相當于兩個單向可控硅反向連接,,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。奉賢區(qū)本地可控硅...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,,如果超過此頻率,因元件開關損耗***增加,,允許通過的平均電流相降低,,此時,標稱電流應降級使用,??煽毓璧膬?yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,;反應極快,在微秒級內(nèi)開通,、關斷,;無觸點運行,無火花,、無噪音,;效率高,,成本低等等??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通。維持電流IH 在規(guī)定溫度下,,控制極斷路,,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。嘉定區(qū)國產(chǎn)可控硅專賣店畫出它的波形圖,,可以看到,,只有在觸發(fā)...
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,,或控制極與陰極反向短路,,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞,??煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構的大功率半導體器件,。實際上,,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等,??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn),,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運輸、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。可控硅的優(yōu)點很多,,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高...
這在高溫下尤為嚴重,,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管),。5,、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值,,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通,。如果負載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,,使這一小部分先導通,。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,,容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2],。大,;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。...
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,,夾子壓接、螺栓固定和鉚接,。前二種方法的安裝工具很容易取得,。 很多場合下,鉚接不是一種推薦的方法,。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,,熱阻**小。夾子對器件的塑封施加壓力,。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) 和絕緣封裝( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack),。注意,sot78 就是to220ab,。螺栓固定:sot78 組件帶有m3 成套安裝零件,,包括矩形墊圈,墊圈放在螺栓頭和接頭片之間,。應該不對器件的塑料體施加任何力量,。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通,,卻不能使它關斷,。長寧區(qū)特點可控硅專賣店4、 觸...
IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,,創(chuàng)制于1957年,,由于它特性類似于真空閘流管,,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,,簡稱為可控硅SCR。接通電源開關S,,按一下按鈕開關SB,,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的,。浦東新區(qū)推廣可控硅現(xiàn)價我們把這種...
可控硅有多種分類方法,。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導可控硅,、門極關斷可控硅(GTO),、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。TY300/TY301可控硅調(diào)壓單元(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可...
安裝過程中,螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量,;和接頭片接觸的散熱器表面應處理,,保證平坦,10mm上允許偏差0.02mm,;安裝力矩(帶墊圈)應在0.55nm 和0.8nm 之間,;應避免使用自攻絲螺釘,因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,,影響器件和散熱器之間的熱接觸,。安裝力矩無法控制,也是這種安裝方法的缺點;器件應首先機械固定,,然后焊接引線,。這可減少引線的不適當應力。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向反復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不反復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓不管可控硅的外形如何,,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構,。奉賢...
通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,,應盡可能選擇VT M 小的可控硅,。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流,它與結(jié)溫有關,,結(jié)溫越高,, 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**: dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數(shù),。此值超限將可能導致可控硅出現(xiàn)誤導通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容,。 對負載小,,或電流持續(xù)時間短(小于1 秒鐘)的雙向可控硅, 可在自由空間工作,。 但大部分情況下,,需要安裝在散熱器或散熱的支架上,為了減小熱...
四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,,它都能被觸發(fā)導通,,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(圖5a),。雙向可控硅觸發(fā)導通后,,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,,這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按***象限的特性進行的,,又因為觸發(fā)信號是正向的,所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。 [3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,,而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),這時雙向可控硅觸發(fā)導通后,,通...
我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),輸入正向觸發(fā)信號,雙向可控硅導通后,,通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,,輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),雙向可控硅導通后,,通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,,但由于負信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠,因此在實際使用時,,負觸發(fā)方式應用較多,。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。長寧區(qū)優(yōu)勢可控硅售價可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,,由于循環(huán)...
無觸點開關可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用,。其***特點是無噪音,壽命長,。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,,無論所加電壓極性是正向還是反向,,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài),。此時A1,、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通,,即使失去觸發(fā)電壓,,也能繼續(xù)保持導通狀態(tài)。只有當***陽極A1,、第二陽極A2電流減小,,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,,雙向可控硅才截斷,,此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導通。額定通態(tài)電流(IT)即大穩(wěn)定工作電流,,俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一...
這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構等優(yōu)點,。從外表上看,,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電極,。但是,,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,,而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,是把兩個可控硅反接在一起畫成的,,如圖2所示,。它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,;國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,,但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時,,電極引腳向下,面對標...
在性能上,,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,,如果超過此頻率,,因元件開關損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,,此時,,標稱電流應降級使用??煽毓璧膬?yōu)點很多,,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,,在微秒級內(nèi)開通,、關斷;無觸點運行,,無火花,、無噪音;效率高,,成本低等等,。可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通,。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用,。長寧區(qū)通用可控硅專賣店這在高溫下尤為嚴重,,在這種情況下可以在MT1和MT2...
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,,如果超過此頻率,因元件開關損耗***增加,,允許通過的平均電流相降低,,此時,標稱電流應降級使用,??煽毓璧膬?yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,;反應極快,在微秒級內(nèi)開通,、關斷,;無觸點運行,無火花,、無噪音,;效率高,成本低等等,??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通。大功率可控硅多采用金屬殼封裝,,而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。松江區(qū)質(zhì)量可控硅服務熱線可控硅從外形上分類主要有:螺栓形,、平板形...
主要廠家品牌:ST,,NXP/PHILIPS,NEC,,ON/MOTOROLA,,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,,TOSHIBA,,JX ,SANREX,,SANKEN ,,SEMIKRON ,EUPEC,,IR,,JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重...
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2,;發(fā)射極電流相應為Ia和Ik,;電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。當晶閘管承受正向陽極電壓,,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,,Ig=0,(a1+...
在性能上,,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導通和關斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,,如果超過此頻率,,因元件開關損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,,此時,標稱電流應降級使用,??煽毓璧膬?yōu)點很多,,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,;反應極快,,在微秒級內(nèi)開通、關斷,;無觸點運行,,無火花、無噪音,;效率高,,成本低等等??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通。它只有導通和關斷兩種狀態(tài),。上海國產(chǎn)可控硅專賣店設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2,;發(fā)射極電流相應為Ia和Ik;電流放大...