IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅動電流較大,；MOSFET驅動功率很小，開關速度快,，但導通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機,、變頻器,、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域,。IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關,。普陀區(qū)進口IGBT模塊銷售廠家

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞,，為防止此類故障,，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。因此對散熱風扇應定期進行檢查,，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作 [1],。靜安區(qū)選擇IGBT模塊品牌其相互關系見下表,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大,。

通常為達到更好的驅動效果,，IGBT開通和關斷可以采取不同的驅動速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅動器有些是開通和關斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅動器只有一個輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,，用以調節(jié)2個方向的驅動速度。3,、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅動引線的情況下，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時對其進行保護的電路,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機,、變頻器,、開關電源、照明電路,、牽引傳動等領域,。圖1圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極,。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入區(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴,，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極,。在那個時候，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計,。

鑒于尾流與少子的重組有關,，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系,。因此,，根據所達到的溫度，降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的,，尾流特性與VCE,、IC和 TC有關。柵射極間施加反壓或不加信號時,，MOSFET內的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關斷,。 [2]反向阻斷當集電極被施加一個反向電壓時,，J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴展,。因過多地降低這個層面的厚度,，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以,，這個機制十分重要,。另一方面，如果過大地增加這個區(qū)域尺寸,，就會連續(xù)地提高壓降,。 [2]正向阻斷為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數α作為解決閉鎖的措施。普陀區(qū)進口IGBT模塊銷售廠家

特別是用作高頻開關時,，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用,。普陀區(qū)進口IGBT模塊銷售廠家

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用,，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要,。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性,。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅動器輸出性能的計算方法以供選型時參考,。圖2IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。普陀區(qū)進口IGBT模塊銷售廠家

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