IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),，絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。普陀區(qū)進(jìn)口IGBT模塊銷售廠家

在使用IGBT的場合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài)),，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞,，為防止此類故障,，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。為了減少接觸熱阻，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障,。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作 [1],。靜安區(qū)選擇IGBT模塊品牌其相互關(guān)系見下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。

通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果,，IGBT開通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度，分別選取 Rgon和Rgoff（也稱 Rg+ 和 Rg- ）往往是很必要的,。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開通和關(guān)斷分別輸出控制,，只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻,，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下，偶然加主電高壓,，通過米勒電容燒毀IGBT,。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,，并同時(shí)對其進(jìn)行保護(hù)的電路,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。在那個(gè)時(shí)候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì),。

鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度,、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系,。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的,，尾流特性與VCE,、IC和 TC有關(guān)。柵射極間施加反壓或不加信號時(shí),，MOSFET內(nèi)的溝道消失,，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷,。 [2]反向阻斷當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí),，J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴(kuò)展,。因過多地降低這個(gè)層面的厚度,，將無法取得一個(gè)有效的阻斷能力，所以,，這個(gè)機(jī)制十分重要,。另一方面，如果過大地增加這個(gè)區(qū)域尺寸,，就會連續(xù)地提高壓降,。 [2]正向阻斷為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數(shù)α作為解決閉鎖的措施。普陀區(qū)進(jìn)口IGBT模塊銷售廠家

特別是用作高頻開關(guān)時(shí),，由于開關(guān)損耗增大,，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。普陀區(qū)進(jìn)口IGBT模塊銷售廠家

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要,。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性,。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考,。圖2IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻,。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容,、CCE 是集電極-發(fā)射極電容,、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。普陀區(qū)進(jìn)口IGBT模塊銷售廠家

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