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雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向導通,在正負半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點,更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術中,常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。這樣,在交流電的正、負半周,從規(guī)定時刻(通常為零值),，開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導通期間所對應的電角度叫導通角0,。在右圖(a)中,適當調整觸發(fā)電路的RC時間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導通:角150°時的UAi-z及負載的電壓波形,。一般雙向可控硅所能控制的負載遠比單向可控硅...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅導通的電角度叫導通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備,。楊浦區(qū)銷售晶閘管供應商從晶閘管的內部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。可控硅和其它半導體器件一樣,，具有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、***科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC,。崇明區(qū)選擇晶閘管品牌⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內可控硅導通的電角度叫導通角θ。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流,。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點,。徐匯區(qū)質量晶閘管費用雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接,、螺栓固定和鉚接,。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很...

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備,。它在交直流電機調速系統(tǒng),、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通,。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點開...

這種器件在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點,。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個電極,。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時,，電極引腳向下，面對標...

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC,、TO-3P、SOT-89,、TO-251,、TO-252、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通,，只有在U...

測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） [1],。控制極與陰極之間是一個P-N結,，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。黃浦區(qū)進口晶閘管聯(lián)系人雙向可...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值,。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍,。 同時,， 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降,。為減少可控硅的熱損耗,，應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。寶山區(qū)選擇晶...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS,，NEC,，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR,，TOSHIBA，JX ,，SANREX,，SANKEN ，SEMIKRON ,，EUPEC,，IR，JBL等,。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--斷態(tài)重...

畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早,，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚,，晶閘管導通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術中,，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或導通角θ,，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流,?？煽毓璧膬?yōu)點很多，例如：以...

當晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向導通狀態(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。鑒...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220AB、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板,。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、B...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等,。可控硅的主要參數(shù)有：1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。在...

通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅導通的電角度叫導通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。楊浦區(qū)如何晶閘管品牌大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導體材料組成的...

晶閘管特性單向晶聞管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,，通過開關S接在直流電源上,。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極,，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管,，若采用KP5型，應接在3V直流電源的正極）,。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關S,，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通,；再按一下按鈕開關SB,，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了,，說明晶閘管導通了,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢常用可控硅的VRRM/VDRM...

5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應用的快速可控硅,，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等,。可控硅有多種分類方法,。（一）按關斷,、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；徐匯區(qū)銷售晶閘管費用雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接,、...

這種器件在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,，電極引腳向下,，面對標...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1,、T2,、G。因該器件可以雙向導通,，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2表示,，不再劃分成陽極或陰極,。其特點是，當G極和T2極相對于T1,，的電壓均為正時,，T2是陽極，T1是陰極,。反之,，當G極和T2極相對于T1的電壓均為負時，T1變成陽極,，T2為陰極,。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對稱性,，所以它可在任何一個方向導通,。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導通呈低阻狀態(tài)。此時A1,、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發(fā)...

當晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向導通狀態(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

當晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結,，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向導通狀態(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流I...

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件,。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V),、B...

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間；應避免使用自攻絲螺釘,，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制,，也是這種安裝方法的缺點,；器件應首先機械固定，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當應力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。如果把...

Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號,，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B,、BTA16-600B,、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B,、BTB16-600B、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號***一個字母)帶“W”的,，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”,、“CW”,、“SW”...

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉,。3、關于轉換電流變化率當負載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉換電流變化率變高，這種情況**易在感性負載的情況下發(fā)生,，很容易導致器件的損壞,。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通,。這在高溫下尤為嚴重,，在這種情況下可以在MT1和M...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等,?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導能電壓時,，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度,。按...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。（六）過零觸發(fā)-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā),，導通可控硅,。（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸發(fā),，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位）,，來改變輸出百分比。按一機部IBI144一75的規(guī)定,，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。普通可控硅的型號采用如下格式標注:不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構,。虹口區(qū)如何晶閘管銷售價格四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸...

至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,，各個廠家的**含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA,，C=15mA,，F(xiàn)=25mA，G=50mA,，R=200uA或5mA,，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA,，CW=35mA，BW=50mA,，C=25mA,，B=50mA，H=15mA,，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個參數(shù)值,。維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導...

安裝過程中,，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理,，保證平坦,，10mm上允許偏差0.02mm,；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm 和0.8nm 之間；應避免使用自攻絲螺釘,，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起,，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制,，也是這種安裝方法的缺點,；器件應首先機械固定，然后焊接引線,。這可減少引線的不適當應力,。一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T,。又由于可控硅**初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR。按封裝...