IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。嘉定區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商

3,、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快,，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時開關(guān)損耗大,。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴(yán)重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二、柵極電阻的選取1,、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選?。翰煌放频腎GBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試,。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定,，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動功率的2倍。IGBT柵極驅(qū)動功率 P=FUQ,，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動輸出電壓的峰峰值,；嘉定區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右,。

將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S),，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D),，這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),，這時IGBT 被阻 斷，萬用表的指針回到無窮處,。此時即可判斷IGBT 是好的,。 注意：若進(jìn)第二次測量時,，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。 任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT,。注意判斷IGBT 好壞時,，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通,，而無法判斷IGBT 的好壞。

IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓,，柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生,。當(dāng)選擇這些驅(qū)動電路時，必須基于以下的參數(shù)來進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求,、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況,。因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大，故可使用MOSFET驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),，不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動電路提供的偏壓更高,。IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR,。IGBT在關(guān)斷時不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加,。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng),。IGBT導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障。

常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。 圖1所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。 IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時,，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。嘉定區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商

在那個時候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計。嘉定區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商

IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷,。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。嘉定區(qū)進(jìn)口IGBT模塊供應(yīng)商

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