將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極(D),，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時(shí)萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處,。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),，這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置,。然后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時(shí)IGBT 被阻 斷,，萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處,。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。 注意：若進(jìn)第二次測(cè)量時(shí),，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G),。 任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí),，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,，因R×1K Ω擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通,，而無(wú)法判斷IGBT 的好壞,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。上海如何IGBT模塊設(shè)計(jì)

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極比較大額定電壓,，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí),，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過(guò),，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò),。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。閔行區(qū)進(jìn)口IGBT模塊費(fèi)用當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)，J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,，耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展,。

3、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,，開(kāi)關(guān)器件通斷快,，開(kāi)關(guān)損耗小,；反之則慢,，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,，從而產(chǎn)生較大的干擾,，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧,。二,、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異,。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試,。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定,，一般來(lái)說(shuō)柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍,。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值,；

常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),， N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū),，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱(chēng)為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ）,，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。 IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導(dǎo)通。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。

2010年,，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所成功研制國(guó)內(nèi)***可產(chǎn)業(yè)化IGBT芯片，由中國(guó)科學(xué)院微電子研究所設(shè)計(jì)研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤(rùn)微電子工藝平臺(tái)上流片成功,，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，部分性能優(yōu)于國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品,。這是我國(guó)國(guó)內(nèi)***自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品,，標(biāo)志著我國(guó)全國(guó)產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得了重大突破,，擁有了***條專(zhuān)業(yè)的完整通過(guò)客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證的IGBT工藝線,。該科研成果主要面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進(jìn)行市場(chǎng)推廣,，目前正由國(guó)內(nèi)***的家電企業(yè)用戶試用，微電子所和華潤(rùn)微電子將聯(lián)合進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),。 [2IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,。上海如何IGBT模塊設(shè)計(jì)

1979年,，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。上海如何IGBT模塊設(shè)計(jì)

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn),，其電壓和電流容量還很有限,，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求,，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中,，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上,。目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用,。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國(guó)的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實(shí)際應(yīng)用,，日本東芝也已涉足該領(lǐng)域,。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓,、大電流,、高速,、低飽和壓降、高可靠性,、低成本技術(shù),，主要采用1um以下制作工藝,，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。 [1]上海如何IGBT模塊設(shè)計(jì)

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