IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP 晶體管提供基極電流,，使IGBT 導通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，流過反向基極電流，使IGBT 關斷,。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性,。當MOSFET 的溝道形成后,，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調制,，減小N 一層的電阻,，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。 [1] [4]IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性,、轉移特性和開關特性。由于IGBT模塊為MOSFET結構,，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。楊浦區(qū)如何IGBT模塊設計

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化,。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點,。雖然***一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 高出很多,。IGBT較低的壓降,，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構,，與同一個標準雙極器件相比,，可支持更高電流密度，并簡化 IGBT驅動器的原理圖,。 [1]楊浦區(qū)品牌IGBT模塊設計電導調制效應使電阻RN減小,，使通態(tài)壓降小。

對于大功率IGBT,，選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置,、門極電荷、耐固性和電源情況等,。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間,、開關損耗,、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1,。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性,、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大,。在門極電路的設計中,，還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1),。

1947年12月,，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,，研制出一種點接觸型的鍺晶體管,。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明,，是微電子**的先聲,。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的,、消耗功率低的電子器件,，來代替體積大、功率消耗大的電子管了,。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的誕生吹響了號角,。20世紀**初的10年，通信系統(tǒng)已開始應用半導體材料,。20世紀上半葉,，在無線電愛好者中***流行的礦石收音機，就采用礦石這種半導體材料進行檢波,。半導體的電學特性也在電話系統(tǒng)中得到了應用,。晶體管的發(fā)明，**早可以追溯到1929年,，當時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的**,。但是，限于當時的技術水平,，制造這種器件的材料達不到足夠的純度,，而使這種晶體管無法制造出來。通常采用雙絞線來傳送驅動信號,，以減少寄生電感,。

b、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件,，盡可能不用焊接方式。c,、裝卸時應采用接地工作臺,，接地地面，接地腕帶等防靜電措施,。  d,、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯(lián),。e,、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時,，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊接時,，溫度260±5℃.時間（10±1）秒,，松香焊劑。波峰焊接時,，PCB板要預熱80℃-105℃,在245℃時浸入焊接3-4IGBT發(fā)展趨向是高耐壓,、大電流、高速度、低壓降,、高可靠,、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應用,，簡化其主電路,，減少使用器件，提高可靠性,，降**造成本,，簡化調試工作等，都與IGBT有密切的內在聯(lián)系,，所以世界各大器件公司都在奮力研究,、開發(fā)，予估近2-3年內,，會有突破性的進展,。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。在那個時候,，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計,。奉賢區(qū)選擇IGBT模塊費用

這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。楊浦區(qū)如何IGBT模塊設計

1979年,，MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成),，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候,，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來,，通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進,，這是隨著硅片上外延的技術進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3],。幾年當中,，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構，其設計規(guī)則從5微米先進到3微米,。楊浦區(qū)如何IGBT模塊設計

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