可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，具有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。虹口區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個(gè)簡單實(shí)用的大功率無級調(diào)速電路,。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生,，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用,。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí),，SCR1,、SCR2會誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定,。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路,，其原理這里從略。虹口區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL.

1,、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋,，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí),，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲,。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí),，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí),，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2， 一個(gè)門極G,， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正,、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通，因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,，需定量掌握其主要參數(shù),，對雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。 [1]·耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和 VR R M(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。 選用時(shí),，額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量,。 [1]它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。虹口區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。虹口區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C(jī)電設(shè)備,，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。虹口區(qū)選擇晶閘管設(shè)計(jì)

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