測(cè)量方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,,根據(jù)P-N結(jié)的原理,,只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,,因此陽極和控制極正反向都不通) [1],。控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,,因此,,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過陰極和陽極的電流平均值。嘉定區(qū)如何晶閘管銷售廠家
在性能上,,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗***增加,,允許通過的平均電流相降低,,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花,、無噪音,;效率高,成本低等等,??煽毓璧娜觞c(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通,。黃浦區(qū)品牌晶閘管銷售廠家不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),,俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值,。常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,,就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),,晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。
當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),,從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí),,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,,在晶閘管導(dǎo)通后,,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,,門極已失去作用,。Ug到來得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,;
設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,,式(1—1)中,,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。閔行區(qū)品牌晶閘管廠家現(xiàn)貨
在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。嘉定區(qū)如何晶閘管銷售廠家
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),,如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,,如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,,用宇毋表示,,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。綜上所述,小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,,有三個(gè)電極,,用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由嘉定區(qū)如何晶閘管銷售廠家
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